简介:使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C:H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C:H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C:H膜微结构及部分性能的影响。结果表明,在α-C:H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象。随着基底温度的升高,α-C:H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C:H膜层性能也逐步退化。
简介:摘要:卷包部在新引进大学生操作能力与主要岗位技能水平要求存在较大差异,对岗位适应性及技能水平的提升急需在培养方法、培养氛围上构建引进大学生培养模式,以破除车间操作工数量断层、技能技术人才短缺的困境。因此,卷包部试图探索“1112”培养模式以建立固定、快速、有效的大学生适用型人才培养通道。