简介：我国是铝的第一生产大国,但是在上世纪80年代初,因铝导体生产工艺低下严重影响了铝导体的使用。主要制约铝导体推广和使用因素是达不到国际公认的61%IACS导电率水平,以及与导电率相矛盾的断裂强度与伸长率,这就严重地制约了铝导体的使用。随着科学技术的不断发展,铝导体加工工艺的不断进步,人们想出了可在铝的熔炼过程中加入一些其他元素,来弥补铝导体性能的不足,发展到今天就形成了铝合金导体。从2005年开始,铝合金导体在电缆中的使用逐步发展起来,由于铝合金导体除了在导电率上与铜存在差距,在导体压蠕变、柔韧性、抗腐蚀以及电缆敷设方面都优于铜导体电缆,同时,在导电率上也可以通过扩大导体截面来弥补载流量的缺陷,从而人们也慢慢开始使用铝合金材料作为电缆导体。

简介：介绍了半导体封装专用模具模架基本结构、工作过程,指出半导体塑封模具设计时注意事项,核心零部件设计要点、计算公式;同时系统地介绍了半导体塑封模具各部件功能、作用、设计原则,为行业内人士了解半导体塑封模具技术要素提供了依据、有益参考,对半导体塑封模具设计人员具有一定的指导意义。

简介：介绍了半导体封装模具偏错位种类，分析了偏错位缺陷产生的原因，并针对偏错位总结了几种相应的纠正措施、改善解决方案，指出应从模具设计、材料选择、模具温度设置调整、定位零件设计、总检与控制等各方面系统优化解决。

简介：金刚石是一种绝缘材料，但通过将杂质搀进其晶格中(这一过程称作搀杂)，可将金刚石变成一种半导体。金刚石作为一种半导体在技术上有一系列潜在用途，但其在这方面的应用迄今是很有限的。所存在的问题包括搀杂物激发能太高(因而电荷承载浓度太低)和难以将杂质搀进金刚石上所希望的某些面上。

简介：本文主要介绍日立化成的研发者们采用分子模拟技术等手段研发了多芳性环型低CTE树脂,通过制作的低热膨胀系数的基材验证了低CTE效果。可以应用于半导体封装结构的应用,减少封装结构的翘曲。

简介：该发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法，既能修复失效的轴类零件，又能有效的保护键槽。包括以下步骤：步骤一，对圆轴和键槽进行预处理，所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键，获得表面轮廓一致的待熔覆表面：步骤二，采用半导体激光束，对所述待熔覆表面进行激光熔覆，获得过渡层：步骤三，去除所述过渡层表面氧化物，对所述过渡层进行激光熔覆，获得熔覆层；步骤四，从所述键槽中取出所述铝键。

简介：在由赛迪智库、中国电子报社主办的“2014中国电子信息产业年会——趋势前瞻与政策解读”上，赛迪智库电子信息产业研究所王世江表示，2014年全球半导体市场仍保持增长势头，在移动互联市场等新兴市场兴起带动处理器芯片、存储器芯片需求增加的推动下，预计2014年将进一步攀升到3166亿美元，同比增长4．1。

简介：在硅酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐或其混合电解液中对锆-4合金进行等离子电解氧化。通过实验确定合适的工艺参数,并运用电化学技术、显微硬度、SEM、XRD等技术对膜层性能进行表征。结果表明：在纯的硅酸盐电解液中得到的膜层很不均匀,且在添加磷酸盐后,膜层均匀性仍然很差。在焦磷酸盐体系中得到的膜层比较均匀,但硬度低。在焦磷酸盐体系中添加硅酸盐后,膜层的均匀性和硬度都得到改善。XRD结果表明,膜层的主要成分为单斜氧化锆和四方氧化锆。添加硅酸盐后,有利于四方氧化锆的形成。极化曲线结果表明,在焦磷酸盐以及焦磷酸盐与硅酸盐混合体系中得到的膜层具有较强的耐蚀性。

简介：沈阳某煤矿，由于煤层浅而采用露天开采，并在矿床四周铺设直流电气化铁路，该电铁产生的直流杂散电流，直接干扰腐蚀其平行埋设的气管道。为消除干扰腐蚀而进行大量现场调查工作，最后确定采用接地排流法和物牲阳极阴极保护法，使煤气管道处于良好的保护状态。本文主要介绍现场调查内容及方法，排流装置的选择、安装及效果。

简介：采用直流电弧等离子体法蒸发Mg＋5%TiO2的混合物并将其在空气中钝化,制备粉体Mg-TiO2复合储氢材料。利用电感耦合等离子光谱发生仪（ICP）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）表征粉体复合材料的成分、相组成及形貌。采用压力–成分–温度（PCT）和差示扫描量热仪（DSC）对Mg-TiO2样品的吸放氢性能进行研究。由PCT测量结果可知,Mg-TiO2复合粉体中镁的氢化焓和氢化熵分别为-71.5kJ/mol和-130.1J/（K·mol）,而粉体的氢化激活能为77.2kJ/mol。结果表明,采用电弧等离子体法在超细镁颗粒中加入TiO2催化剂可显著增强镁的吸放氢动力学性能。