简介：建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。

简介：镁元素可以降低铝的本征层错能，因而Al-Mg合金被认为具备孪晶变形的潜力。然而在多种大变形Al-Mg合金中很难发现变形孪晶。为了探究Al-Mg合金的孪晶变形潜能，采用第一性原理计算研究镁和空位对铝广义层错能的影响。研究发现Mg和空位均具有层错Suzuki偏析特性，并且会降低Al的本征层错能。但是随着镁含量的提高，铝的本征层错能不会持续降低，孪晶特性参数τa也不会持续升高。基于Al-Mg合金的孪晶特性参数τa，我们预测即使在高固溶镁含量下，Al-Mg合金依然很难发生孪晶变形。镁和空位所引起的本征层错能的降低在一定程度上能够提高大变形Al-Mg合金的加工硬化速率并且促进变形带的形成。

简介：通过分析加入结构突变和忽略结构突变的GARCH和DCC-GARCH模型，探究铜、铝和锌3种有色金属收益率之间的波动聚集性以及波动相关性。结果表明：铜、铝和锌收益率都存在多个结构突变点，并且金融危机期间有色金属的波动风险最大；忽略结构突变会使得单个有色金属价格的波动聚集被高估，而铝的波动聚集程度被高估程度大于其他两种有色金属价格，表明铝的收益率更容易受到突发事件引起的外部冲击的影响；有色金属价格之间存在明显的动态波动相关性，其中铝和锌之间的波动相关性最大，但结构突变对于有色金属之间的波动相关性并没有显著的影响。

简介：研究浸出参数对电炉炼钢粉尘灰中选择浸出性Zn的影响,以Zn和Fe的浸出率为响应变量,以硫酸浓度、浸出温度、浸出时间和液固比为独立变量,采用基于三水平Box-Behnken的响应面法对浸出参数进行优化。对试验结果进行ANOVA分析和验证。在硫酸浓度为2.35mol/L,浸出温度为25℃,浸出时间为56.42min,液固比为5的条件下,可得到Zn的最大浸出率为79.09%,Fe的最小浸出率为4.08%。通过ANOVA分析表明,对Zn和Fe浸出率影响最大的因素为硫酸浓度和浸出温度。基于响应面法的模型与试验数据具有很好的一致性,Zn和Fe浸出率的相关系数分别为0.98和0.97。

简介：混合金属基复合材料是重要的工程材料，因为他们比纯铝具有更低的密度、更高的比强度和更好的物理力学性能而广泛应用于汽车、航空航天等方面。研究了混合铝金属基复合材料的力学性能和磨损性能。通过搅拌铸造将云母和SiC颗粒加入到A1356合金中。采用扫描电子显微镜（SEN）研究样品的显微组织，用能谱分析（EDX）其化学成分。结果表明，所制备的A1／10SiC-3云母复合材料具有较好的强度和硬度。增加复合材料中云母含量能提高复合材料的耐磨性。

简介：2017年12月新颁布的GB/T13555-2017《挠性印制电路用聚酰亚胺薄膜覆铜板》是挠性覆铜板行业的一份重要的基础标准。本文对它的编制过程、实用意义、修订及增添内容作了解读。

简介：本文研究环氧胶膜和在PI表面涂覆环氧胶的覆盖膜在保护FPC线路的耐弯折性进行了考察测试，结果讧明环氧纯胶膜对FPC的线路有保护作用，但其耐折性和挠曲性明显不如PI覆盖膜好，在实际使用场合可根据需要选择使用。

简介：近年来，我国再生金属产业总量规模不断扩大，政策环境不断优化，行业结构不断调整，作为有色金属工业的重要组成部分，再生金属产业在节能、提高效率、保护环境方面取得了积极进展。在当今经济全球化的大环境下、保持经济增长和社会可持续发展，以及良好的气候生态环境是世界各国的共同追求，再生金属产业发展意义重大。

简介：自从2000年开始，以手机、数码相机、薄型电视（LCD—TV）等民用产品用挠性基板（FPC）市场，迅速扩张。到了2004年的下半年，随着新制造商的相继加盟，FPC市场竞争激烈，使得市场出现供过于求的状况。

简介：为提高镁合金的耐蚀性,通过微弧氧化和硬脂酸乙醇溶液疏水处理两步法在镁合金表面制备超疏水涂层.考察微弧氧化电压、频率和时间对疏水处理试样接触角的影响.结果表明：随着微弧氧化电压、频率和时间的增加,疏水处理试样的接触角均先增大后减小,分别在350V、1000Hz和5min时获得最大值.最佳超疏水涂层主要由MgO和Mg2SiO4相组成,其表面微孔直径为～900nm,厚度为～6.86μm,接触角高达156.96°.超疏水试样的腐蚀电流密度较基体降低3个数量级,而氢气析出量较基体降低94.77%.

简介：本文基于三轴磁阻传感器HMC5983设计了磁记忆检测探头,研制了基于USB2I2C控制模块的二维金属磁记忆检测系统,以45钢为试验对象开展了金属磁记忆试验研究。通过分析磁记忆二维分量以及其微分分量合成的李萨如图大小,确定试件中存在应力集中的严重程度,试验结果表明：磁记忆二维检测不仅能够准确定位试件中应力集中的部位,而且能够从梯度变化角度对应力集中严重程度进行预判评估。

简介：对航空发动机用封严橡胶材料进行模拟工况下可磨耗性的研究。结果表明：可磨耗性模拟试验和实际工况下的磨损行为非常相似；封严橡胶材料在不同试验条件下有不同的磨损形貌和磨屑形态。研究中出现了3种典型的磨损形貌：在线速度（m·s^-1）／入侵速率（μm·s^-1）／入侵深度（μm）为100／5／1000的试验条件下，出现具有明显刮痕的磨损形态；在100／400／1000的试验条件下，出现沙丘状的磨损形态；在275／100／1000的试验条件下，呈现出鱼鳞状倒刺的粗糙磨损形态。3种典型的磨屑形态分别为：在100／100／500试验条件下为细小粉末状的典型磨屑；在100／275／1000试验条件下磨屑呈2—3mm长的搓泥状；在275／100／1000试验条件下出现了有一定长度的条状或不规则片状的磨屑。

简介：苏州的台资腾辉电子公司首席运营官钟健人先生接受了PCB网城采访。他向记者介绍:在亚洲,腾辉电子是除了日本公司以外产品最齐全的公司,这意味着我们可以提供各式各样的CCL、铝基CCL、适用于军工和航天用特殊基板、软硬结合板等,满足业内

简介：传统湿法炼锌过程产生大量富含有价金属资源的铁酸锌废渣,铁的分离是实现铁酸锌废渣中有价金属资源回收的关键。提出含大量铁酸锌的锌浸出渣选择性还原焙烧-浸出分离铁和锌的新方法。通过热力学分析确定铁酸锌分解过程中Fe3O4和ZnO产物的优势区域,并发现V（CO）/V（CO＋CO2）比是控制铁酸锌还原焙烧产物物相的关键因素,在V（CO）/V（CO＋CO2）比在2.68%-36.18%范围内,铁酸锌优先分解生成在Fe3O4和ZnO。通过TG分析,确定铁酸锌还原焙烧的最佳条件为焙烧温度700-750°C,CO体积分数6%,V（CO）/V（CO＋CO2）30%。基于上述研究结果,对富含铁酸锌的锌浸渣进行还原焙烧处理,焙烧产物经酸浸后,锌的浸出率达70%,铁的浸出率仅为18.4%,实现锌浸渣中锌和铁的有效分离。

简介：针对小径丝材检测的要求,介绍了一种基于预防性多滤波技术的新型涡流检测方法,从原理出发,比较了预防性多滤波涡流检测与常规涡流检测的不同,即在一个宽的、全面的频率带宽内设置了多个中心频率不同的带通滤波器,并通过试验得到预防性多滤波涡流检测在丝材检测中的周向灵敏度、端头盲区及检测灵敏度。通过检测应用证实能够有效检出宽度约为30μm、深度为225.7μm的纵向裂纹。

简介：2016年5月11日,CCLA(中电材协覆铜板分会)在江苏省常州市金陵江南大饭店成功举办了"第三届中国挠性覆铜板企业联谊会"。来自国内挠性覆铜板及原材料、设备企业、研究所、院校的70多名代表参加了会议。会议特别邀请了海峡两岸专家为大会作精彩报告,分析FCCL发展及趋势。广东生益科技股份有限公司助理总经理周嘉林作《我国FCCL行业的发展与分析》的报告。原台湾

简介：利用基于密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）研究四方相BiOCuS的电子结构、化学键和弹性性质。能带结构显示,BiOCuS为间接带隙半导体,带隙宽为0.503eV;态密度和分态密度的结果表明,费米能级附近的态密度主要来自Cu-3d态。布居分析表明,BiOCuS中的化学键具有以离子性为主的混合离子-共价特征。计算得到四方相BiOCuS的晶格参数、体模量、剪切模量和单晶的弹性常数,由此导出弹性模量和泊松比。结果表明,BiOCuS是力学稳定的,且具有一定的延展性。

简介：通过AFM、交流阻抗谱及扫描Kelvin探针技术,研究硼酸对7050铝合金硼酸？硫酸阳极氧化膜结构及耐蚀性的影响。结果表明,在硼酸-硫酸阳极氧化体系中,硼酸不会改变氧化膜阻挡层的结构,但会显著影响氧化膜多孔层的结构形式,进而影响氧化膜的耐蚀性。在0～8g/L的范围内,随着电解液中硼酸含量的增加,氧化膜的多孔层电阻增大,电容减小,表面势正移,孔径缩小,耐蚀性变好。在高于8g/L时,随着硼酸含量的增加,氧化膜的孔隙变大,阻抗变小,电子逸出功降低,耐蚀性变差。

简介：镍锡铅成有色金属新指针今年一季度，有色金属各品种价格走势出现显著分化。一方面，供应持续紧张以及消费预期推动了镍锡铅价格持续走高；另一方面铜价经短暂回调后也在2月以后出现快速拉升；而2006年表现活跃的期锌，则在库存和需求预期的双重作用下持续走软。

简介：采用EBSD技术研究Al-（Mn）-Fe-Si合金等温退火后的再结晶晶粒结构。统计研究表明,在无沉淀反应条件下,在大于临界直径（约1.1μm）的颗粒相周围形成P取向（{011}？566？）晶粒的频率约为2%。晶粒总数量密度与P、立方取向（{001}？100？）晶粒的数量成线性关系。再结晶晶粒的总数量密度及典型取向（P、ND旋转立方{001}？310？、立方）晶粒的数量密度随轧制应变量增加而增加,并服从指数规律。