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核科学技术
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合成金刚石单晶层错形成机理探讨

简介：利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个层错和一个由两个层错三角形组成的层错四面体。计算了层错及层错四面体各个边界的方向指数，确定了各个层错的面指数。根据层错的消像规律．确定了各个层错的位移矢量。除一个层错为Frank型简单层错外。其余层错皆为既具有Frank位移，又具有Shockley位移的复合型层错。分析了层错的形成机理。层错尺寸火小在0．68-1．15mm之间，是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。
标签：合成金刚石晶体层错同步辐射方向指数位移面状缺陷

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GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究

简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。
标签：位错 X光形貌 GAAS晶体半导体生长工艺液封直拉

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LiAlO2晶体位错特征的X射线形貌分析

简介：
标签： LiAlO2晶体位错特征 X射线形貌分析铝酸锂单晶体

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KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。
标签： KTiOAsO4晶体原子力显微镜同步辐射X射线形貌像铁电畴位错激光倍频材料

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