简介：（CO＋Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中，CO分子由于受Cs原子强烈影响，分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰，结合能分别位于6.3和7.8eV处，其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支，它显示出该分子轨道沿衬底＜0001＞晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。

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简介：介绍了透射光栅在北京同步辐射装置3W1B光束线光源输出特性诊断中的应用，借助透射光栅进行了能量标定及分辨率的测量，并定性地给出了束线的高次谐波情况。

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简介：用同步辐射角分辨紫外光电子谱对CO与Cs在Ru(1010）面上共吸附的研究结果表明：由于Cs的强烈影响，CO的分子轨道重新排列。对应清洁表面上CO分子的（5σ＋1π）轨道的7．5eV谱峰分裂成两个，分别处于6．3和7．8eV，6．3eV谱峰关于一个垂直于Ru(1010)面面平行于＜0001＞晶向的镜像面反对称性。

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简介：本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。

简介：X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。

简介：本文报道了纳米Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+）在紫外以及真空紫外（UV－VUV）选择激发下的荧光光谱。这些光谱实验表明，Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+）中Ce^3-占据两种不同格位。除了Gd2O3基质与Ce^3+,Eu^3+离子之间的能量传递外，还存在着较弱的Ce^3+与Eu^3+间的能量传递。

简介：利用角分辨紫外光电子谱对乙烯和乙炔气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附的研究结果表明：当衬底温度超过200K，乙烯即发生脱氢反应，σCH和σCC能级均向高结合能方向移动。在室温下，σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010）表面的吸附时的分子能级完全一致。乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K到室温，Ru(1010）表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化。室温下乙炔仍然可以在Ru(1010）表面以分子状态稳定吸附。在有K的Ru(1010）表面上，室温时σCC谱峰几乎。碱金属K的存在促进了乙炔的分解。

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