简介：

简介：用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的，腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分，而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系；在正常鼠肾中，元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类，它们在肾中的分布有较强的共位性，处于平均状态；急性中毒时，Cd与Se的距离最近。有较强的相互作用。其次是与Ca，此时元素的分类不明显，平衡被打乱；中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类，其它元素间的相关性变弱，元素基本上又趋于分为两类。

简介：利用北京同步辐射小角X光散射实验站，我们对超临界流体的抗溶剂过程中，高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明，在不断加入抗溶剂的过程中，高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。

简介：本文报道了纳米Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+）在紫外以及真空紫外（UV－VUV）选择激发下的荧光光谱。这些光谱实验表明，Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+）中Ce^3-占据两种不同格位。除了Gd2O3基质与Ce^3+,Eu^3+离子之间的能量传递外，还存在着较弱的Ce^3+与Eu^3+间的能量传递。

简介：本文测定了在高压条件下两种金属（钙和锌）的8－羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位x-光衍射光说。结果表明，压力对其发光性质产生极大的影响。随着压力的增加，8－羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降，到7GPa左右时几乎为零。而8－羟基喹啉锌的发光随压力的增加而逐渐降低，到7GPa左右时常压的10％。高压下的原位x－光衍射结果表明8－羟基喹啉钙的晶体在3－4GPa开始发生非晶化相变，在7GPa时该非晶化相变完成，样品的x－光衍射完全消失。而8－羟基喹啉锌在压力的作用下（至16GPa）没有发生明显的相变。

简介：选取不同煤化程度的五种煤样并制成600℃和800℃的半焦，应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微观孔隙结构，得到孔径分布，孔隙率，比表面，分形维数等许多结构参数，这些参数随煤化程度和所制半焦温度的不同大都呈现一定的变化趋势。

简介：根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

简介：

简介：选取不同煤化程度的五种煤样并制成600℃和800℃的半焦，应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微马孔隙结构，得到孔径分布、孔隙率、比表面、分形维数等许多结构参数，讨论了这些参数的变化规律。

简介：采用Czochralski法，我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界，该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差，在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差，我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移，计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。

简介：利用溶胶法制备出不同粒度的聚乙烯醇(PVA)包覆下的硫化亚铁(FeS)纳米颗粒，探讨反应物浓度对产物的影响。对FeS进行了物性表征，同时进行了高压衍射相变的研究。

简介：利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

简介：

简介：本论文主要利用同步辐射白光貌相术和单色光貌相术、常规X射线衍衬貌相术。同步辐射Laue衍射、高分辨X射线衍射、光学显微术，对KTP系列晶体中的生长缺陷、畴结构组态和对物理性能的影响，以及KTP晶体在外电场作用下的结构变化作了观察、研究和探讨。

简介：本文介绍了BSRF4W1B束线及XAFS实验站八五改造工程的目标，主要工作，及改进后该实验系统达到的各项主要技术指标及运行状态。

简介：

简介：古陶瓷的元素谱分析是古陶瓷研究中的一项重要内容，它对古陶瓷的产地鉴定及真伪鉴别起看十分重要的作用。我们选用江西丰城洪州窑从东汉晚期直到晚唐五代8个考古文化期共32个古瓷碎片，用SRXRF对其胎进行了多点分析和线状区域扫描分析，并对釉面进行了区域扫描分析。初步确定了洪州窑古瓷的化学组成的产地特征为：胎釉中Fe，Tt等着色元素含量较高，釉中钙高钾低，属高钙釉。

简介：在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

简介：应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析，实验显示，热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低，前者表现为不可恢复，后者为可恢复即卸压后荧光效率的恢复，表明导致荧光光谱效率降低的微观机制不同，为氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。

简介：根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。