简介:目的:为使零件在设计阶段实现公差的自动分配,研究线轮廓度在计算机中的表达模型。创新点:1.提出一种新的构建线轮廓度公差T-Map图的方法;2.用运动学等效的方法表示理想轮廓公差域的允许偏差。方法:1.将零件轮廓分解成多段,然后分别为每段生成一个实体模型T-Map(图6和7);2.利用布尔交运算将所有分段T-Map合成一个完整线轮廓度的T-Map(图8);3.以弧形短槽为例,演示创建线轮廓度的方法步骤。结论:将弧形短槽轮廓分成多段,先实现每一段的T-Map,再利用布尔交实现整体线轮廓度公差的T-Map图,证明该方法在构建任意轮廓的线轮廓度公差上的有效性。
简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。