简介:<正>据中国电子材料网引用PCBA报导,在2005年11月9日于东京举行的"第16届微机械展"上,富士电机系统公司展出了使用硅的印刷电路板"IMM"(In-telligentMicroModule)。IMM使用硅工艺技术生产。可实现最多3层的多层布线,同时还可以嵌入电容器和电阻。布线宽度为5μm-50μm。因为IMM与LSI共用硅底板,线膨胀系数相同,所以基本上不会出现因温度等因素变化而引起的LSI从IMM上剥落的问题。IMM主要面向医疗、计量及网络设备等领域。在IMM上封闭有裸片或采用BGA封装的LSI以及被动元件。富士电机系统在MEMS压力传感器和放射线传感器等的生产线上生产IMM,可将这些传
简介:Inthispaper,awavelengthdivisionmultiplexing(WDM)transmissionsystemderivedfromthecoherentopticalorthogonalfrequencydivisionmultiplexing(CO-OFDM)withpolarizationdivisionmultiplexing(PDM)and16-orderquadratureamplitudemodulation(QAM)isstudied.Asimulationof80-channelWDMtransmissionsystemwithdatarateof200Gbit/sisbuilt,andthetransmissionperformanceofthesystemisanalyzed.ThesimulationresultsshowthatthesystemQvalueoftheWDMchannelsat16Tbit/swithaspectralefficiencyof7.14bit/s/Hzispotentiallyover10.0dBforalonghaultransmissionupto1800kminastandardsingle-modefiber.
简介:前言近年来,随着人们环保意识的提高,在LCD制造工厂,降低清洗设备使用的药液、纯水、排气等的用量及降低废液、废水处理负荷已经成了最大的课题.
简介:NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。