简介:WereportthedepositionofNb2O5filmsonunheatedBK-7glasssubstratesusingremoteplasmasputteringsystem.Theremoteplasmageometryallowspseudoseparationofplasmaandtargetbiasparameters,whichofferscompletedepositionratecontrol.Usingappropriateoxygenflowrates,high-densityandlow-lossNb2O5filmsaredepositedwithratesupto0.49nm/s.Lowerdepositionrates(~0.026nm/s)canalsobeobtainedbyworkingatlowtargetcurrentandvoltageandatlowpressure.Nb2O5filmsdepositedatdifferentrateshavetherefractiveindexofabout2.3andtheextinctioncoefficientaslowas6.9×10-5.
简介:Inthispaper,awavelengthdivisionmultiplexing(WDM)transmissionsystemderivedfromthecoherentopticalorthogonalfrequencydivisionmultiplexing(CO-OFDM)withpolarizationdivisionmultiplexing(PDM)and16-orderquadratureamplitudemodulation(QAM)isstudied.Asimulationof80-channelWDMtransmissionsystemwithdatarateof200Gbit/sisbuilt,andthetransmissionperformanceofthesystemisanalyzed.ThesimulationresultsshowthatthesystemQvalueoftheWDMchannelsat16Tbit/swithaspectralefficiencyof7.14bit/s/Hzispotentiallyover10.0dBforalonghaultransmissionupto1800kminastandardsingle-modefiber.
简介:<正>三菱电气公司的一种可高频工作且性能先进的收发开关将为5GHz无线局域网提供频率保障。该公司创造了一种新的晶体管结构,并将这些晶体管用于串联和并联开关电路。这些晶体管采用硅CMOS工艺,以使它们适应高频工作。工程技术人员采用0.18μm工艺制作出耗尽层延伸晶体管(DET),再把这些器件用于串联和并联开关电路。所做出的开关的插损为1.4dB,5GHz下插入发射损耗为28%,隔离25dB,信号泄漏0.3%,最大容许功率11.2dBm,约13mW。比较而言,5GHz局域网要求的插损低于1.5dB,隔离20dB以上。与GaAs产品不一样,Si集成电路的成本低,工程技术人员制造Si高频集成电路所用的成本只有GaAs集成电路成本的一半。为了改善性能,他们将采用最佳电路设计。松下公司将在2~3年内开发5GHz带宽单芯片高频集成电路并推向市场,其中包括高频收发开关。
简介:在中国产业发展的历史上,"大步向前"和"产能过剩"始终如影随形,即将在未来10年投入5万亿元倾力发展的新兴能源产业莫不如此。在国家经济转型结构调整、发展低碳环境友好型产业的背景下,新能源产业的前景被一致看好。不过,如何平衡"速度"与"质量"之间的关系,也一直是一道难题。