简介：摘要热工计量作为十大传统计量之一，在当今的计量领域里占据了非常重要的地位。本文分析了热工计量的一些特点，对标准热工仪器仪表计量检定方法及其自动化进行了研究分析。

简介：根据半导体激光器的特性,设计了一种单片机控制的半导体激光器电源系统。本系统较大地改进了半导体激光器电源的可靠性,提高了半导体激光器的输出稳定性,延长了激光器的使用寿命。该系统具有性能可靠、精度高、结构简单、成本低廉等优点。

简介：有机半导体材料与无机半导体材料相比较,其制备原料易得,可通过官能团的转变实现性能改进,因而是目前半导体研究的热点领域。文中以目前常见的有机半导体材料为基础,综述了有机半导体材料的产生、发展及设计理念,并根据常见有机半导体材料的结构对其进行分类阐述,对不同有机半导体材料的性能进行了分析,为有机半导体材料的进一步研究提供参考。

简介：新型半导体探测器技术为现代化技术的代表，要求将半导体材料应用到探测器的研制过程中，达到提高探测器探测效率的目的。本文以硅微条探测器、电致冷半导体探测器、微结构半导体中子探测器三种新型半导体探测器为例，对其目前的发展状况及未来的发展趋势进行了研究，并对探测器的应用原理与方法等进行了探讨，以期能够为有关人员提供参考。

简介：摘要在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：教学改革的核心是教学内容和课程体系的改革,为了对基础教学形式进行分析,必须在现有发展基础上对课堂体系进行分析,满足教学体系的本质性要求。半导体集成课程体系的教学形式比较特殊,涉及的影响因素比较多,其中以实践教学为主,在干预过程中必须对改革形势进行分析,确定最佳改革形势,促进半导体集成电路课堂体系的有序进行。在本次研究中将以半导体集成电路课程教学存在的问题为基准,结合实际情况,就如何变革教学形式进行分析。

简介：【摘 要】 教学改革的核心是教学内容和课程体系的改革，为了对基础教学形式进行分析，必须在现有发展基础上对课堂体系进行分析，满足教学体系的本质性要求。半导体集成课程体系的教学形式比较特殊，涉及的影响因素比较多，其中以实践教学为主，在干预过程中必须对改革形势进行分析，确定最佳改革形势，促进半导体集成电路课堂体系的有序进行。在本次研究中将以半导体集成电路课程教学存在的问题为基准，结合实际情况，就如何变革教学形式进行分析。

简介：摘要：本文介绍了上海电机学院开展的“半导体物理”线上线下混合式教学，分析了线上教学的利弊；介绍了开展混合式教学的教学设计思路和实践过程，并通过对比传统课堂教学与混合式教学的期末成绩，得出混合式教学具有一定优势。

简介：摘要：随着经济社会蓬勃发展，我国电力电子领域也获得了极大的发展机遇，智能功率集成电路及综合控制技术的进步，提高了电力技术在各行各业的应用效率，加之功率半导体器件的结合使用，增强了智能功率集成电路的性能，降低其运行条件，进一步起到节约生产成本、实现规模发展的作用。基于此，本文从功率半导体器件与智能功率集成电路概述，阐述了智能功率集成电路中功率半导体器件的实际应用，以期为我国后续电力技术的创新升级打下坚实基础。

简介：谢希德（1921-2000）,著名物理学家、教育家及社会活动家,先后当选为中国科学院院士、第三世界科学院院士和美国文理学院外国院士,是中国半导体物理学科的先驱者与主要奠基人.本文考察了谢希德对于新中国半导体物理学科发展所做出的重要贡献,初步分析了她在半导体物理方面的学术谱系的形成与发展情况.

简介：为了研究半导体桥的点火性能,本文分析了受生产工艺和人为因素的影响而随机分布的火药各点的物理性质、火药成分、表面粗糙度以及SCB桥体密度等特征量。建立半导体桥点火过程的随机模型,采用蒙特卡洛方法研究分析了火药直径、等离子体温度及火药吸收层厚度等随机因素在半导体桥点火过程中对点火性能的影响：等离子体温度的增大,使点火延迟散布减小;火药颗粒直径,吸收层厚度的增大,使点火延迟散布增大。

简介：摘要电子科学技术当今已经渗透于我们生活中的各个领域，它时刻引领着当前新兴技术产业的发展脚步。而作为电子科学技术发展基石的半导体材料，同样也决定了当今电子工业产业的走势。从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究，都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展。

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简介：建立太阳能半导体温差发电系统的一般模型,应用非平衡态热力学和有限时间热力学理论研究存在四种主要不可逆因素影响的太阳能驱动的半导体温差发电器的性能特性,导出发电器的输出功率一般表示式,探讨最大输出功率及其有关的优化条件,确定了温差发电器输出电流和功率的上限,得到一些有意义的新结论.

简介：摘要为了解决可见光显微成像技术无法实现硅基芯片内部结构观测的问题，根据1064nm的红外激光对硅材料具有一定穿透深度的特性，设计了一种硅基半导体芯片激光红外显微成像系统。该系统采用数值孔径为0.42的长工作距显微物镜，通过音圈电机振动多模石英光纤消除散斑噪音，由系统观察CD-RW盘片道间距，表明系统分辨率可达到1.6μｍ，接近理论值，实现了对芯片厚度为70μｍ的静态随机存储器内部结构显微成像的观测。

简介：本实验以各类混凝剂（硫酸铝、三氯化铁、多元氯化铝）进行化学混凝,探讨各条件对机械研磨废水浊度处理效果的影响。由结果可知,各种混凝剂加药量在特定的浓度范围下,去除浊度能力都可达到10NTU以下,当在适当浓度范围外时反而会使浊度变差。同时,pH值的配合,可以使加药量减少,达到低浊度的目的。

简介：摘要：近年来，国内半导体行业逐渐在技术方面取得了发展，在一定程度上促进了半导体行业的生产技术革新，国内的半导体工程建设进入了阶段性高潮，8英寸及以上、55纳米～14纳米的制程已成为主流，这也导致半导体行业的生产对洁净室的洁净等级要求也越来越高[1]。空气中的悬浮分子污染物(Airborne Molecular Contaminants，AMC)在生产过程中会对产品造成不良的影响，严重时甚至会对产品造成不可逆的损坏，因此我们有必要对洁净厂房中AMC进行控制.

简介：摘要：绝缘体上硅是半导体器件演变过程中技术革新的关键一环，为芯片的创新与发展带来契机。高性能芯片的出现让大部分业内器件制造商更加青睐绝缘体上硅材料，同时不断完善技术，致力于运用集成技术制造体积更小、损耗更低的半导体芯片。本文将详细分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺流程，分析其可靠性，总结对目前技术的创新办法，为相关技术应用提供参考。

简介：为提高金属模具材料的性能,研究了激光增材技术（3D打印）、激光熔覆技术和激光淬火技术等.结果表明：激光3D打印技术制备的镍基合金表面结晶细致均匀,可用于制造模具镶块材料.在25号钢上激光熔覆钴基合金制备的模具材料的硬化层深度可达1.45mm,模具硬度达到维氏硬度500以上.半导体激光淬火处理作为H13钢热处理的最后一道工序,使模具钢的硬度提高了50%以上.