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257 个结果
  • 简介:利用北京同步辐射小角X光散射实验站,我们对超临界流体抗溶剂过程中,高分子构象变化进行了初步研究。实验表明,在不断加入抗溶剂过程中,高分子链发生了从伸展无规线团到球形转变。

  • 标签: 抗溶剂过程 高分子链 尺寸 构象 超临界二氧化碳 聚苯乙烯
  • 简介:对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001)衬底上生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜材料,应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直(a⊥)和平行(a||)于表面方向晶格常数与其厚度关系。研究结果表明,随着PZT厚度增加,a⊥增加,而a||减小。这种晶格常数变化,不能用一般薄膜弹性畸变来解释,我们归结为晶体尺寸效应起了很大作用。X射线衍射测量结果表明,随着PZT厚度增加,其晶粒尺寸也增加。

  • 标签: PZT薄膜 晶格常数 厚度 铁电薄膜 X射线衍射
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:利用溶胶法制备出不同粒度聚乙烯醇(PVA)包覆下硫化亚铁(FeS)纳米颗粒,探讨反应物浓度对产物影响。对FeS进行了物性表征,同时进行了高压衍射相变研究。

  • 标签: FeS纳米颗粒 制备 表征 溶胶法 聚乙烯醇 包覆
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:软X射线监测系统建立,结构特点性能,有效地解决了气体吸收窗膜透过率等因素影响。申请获得了美国布鲁克海文国家实验室(BNL)用光时间,对监测系统性能进行研究,并给出了该系统精度及与国际标准比对结果。

  • 标签: 软X射线 软X射线监测系统 国际标准 电离室 光强度 测量
  • 简介:采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT氢氧化镍纳米微粒,退火后得到纳米尺寸氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得氢氧化镍氧化镍纳米颗粒进行了研究,得到了EXAFS结构参数,并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比,纳米材料配位结构表现出不同特性。

  • 标签: 表面活性剂 EXAFS 纳米氢氧化镍 纳米氧化镍 微乳液法 化学修饰
  • 简介:低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明,Ge与Si再Ge/Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构:这种组分结构可以用一平均成份SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理粗糙度。旋转样品进行X射线散射研究表明,这种SiGe混合是各向同性,这与透射电子显微镜研究结构相一致。

  • 标签: Ge/Si超晶格 界面结构 X射线 粗糙度 纳米结构 光电特性
  • 简介:本文通过比较两个不同晶体生长历史温梯法Al2O3晶体,通过同步辐射衍射形貌相研究了晶体内部完整性,在正常晶体生长条件下Al2O3晶体FWHM仅为10弧秒,而在正常晶体生长受到间停电破坏时,Al2O3晶体内易出现亚晶粒等缺陷。其内在原因与温梯法晶体生长工艺有关系。

  • 标签: 亚晶粒结构 同步辐射 Al2O3晶体 FWHM 衍射形貌相 X射线衍射
  • 简介:古陶瓷元素谱分析是古陶瓷研究中一项重要内容,它对古陶瓷产地鉴定及真伪鉴别起看十分重要作用。我们选用江西丰城洪州窑从东汉晚期直到晚唐五代8个考古文化期共32个古瓷碎片,用SRXRF对其胎进行了多点分析线状区域扫描分析,并对釉面进行了区域扫描分析。初步确定了洪州窑古瓷化学组成产地特征为:胎釉中Fe,Tt等着色元素含量较高,釉中钙高钾低,属高钙釉。

  • 标签: 江西 洪州窑古瓷 古陶瓷 元素谱 产地特征 SRXRF
  • 简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaNAl2O3(0001)匹配关系。结果表明,经充分氮化衬底上,GaN以单一匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)几种匹配方式晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜匹配方式是其外延生长过程中降低Al2O3(0001)晶格失配、释放界面应变重要机制之一。

  • 标签: 匹配机制 氮化 GAN MOCVD 晶格匹配 氧化铝衬底
  • 简介:采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa压力范围内出现了两条衍射峰,对该实验现象进行了讨论。

  • 标签: 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
  • 简介:通过NH4NO3溶液处理商业硅胶,制备了一种新担载型Co/SiO2催化剂体系以及用于F-T合成重质烃反应。固定床优选条件下运行结果表明,在该催化剂上CO转化率可达到90%以上,目标产物C5^+选择性可达到80%以上。采用XAFS(X射线吸收精细结构)技术研究了该催化剂物相结构,结果表明,处理后硅胶与钴物种之间相互作用明显减弱,钴物种配位情况由Co-t向Co-o转变,使催化剂在工业还原条件下还原度大大提高。

  • 标签: 改性 商业硅胶 钴基催化剂 结构 反应性能 Co/SiO2催化剂