简介：利用发光二极管（LED）光色电综合测试系统测量不同颜色不同功率的LED在多个电流下的光谱，提出并构建了由多个高斯函数组成的LED光谱模型，并根据各颜色LED在额定电流下的光谱计算模型中的系数，最后将该模型与已报道的模型进行了对比。研究表明：对于光谱有n（n≥1）个波峰的LED，可用3n个高斯函数形式的模型来表示，大功率红、黄、蓝、绿、白色LED模型与实测光谱之间平均误差分别为3．45％、1．01％、2．33％、4．65％、2．49％，小功率LED的平均误差分别为2．61％、2．65％、3．77％、2．87％、2．48％。与已报道的模型相比，该模型精度高，普适性好。本研究对LED光度色度测量仪器的研制及智能化LED产品的设计具有重要意义。

简介：本文通过对伏安法测二极管特性实验中一个特殊现象的分析,提出了环境电磁波对实验的影响;通过对实验现象的深入分析,能够提高学生观察问题和分析解决问题的能力.

简介：热容激光器与常规的高功率固体激光器的本质区别是激光介质的热管理方式不同，常规高功率固体激光器是边工作边冷却，而热容式激光器采用了工作时间和冷却时间相分离的热管理模式。因此热容激光器不再受介质断裂极限限制，可提高平均输出功率，同时由于工作时介质内部不存在显著的温差、热应力，可有效减小光程畸变提高光束质量。

简介：通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。

简介：针对现有发光二极管（LED）汽车后转向灯存在的配光性能不准确、能量利用率低等问题，设计了一款准直配光一体化的LED后转向灯透镜。该透镜根据非成像光学原理和斯涅尔定理，通过迭代求解的方法设计而成，其高度为8．32mm，直径为12．64mm。利用光学软件TracePro对实际光源和后转向灯透镜进行光线追迹模拟，结果表明：在z方向4-80°，Y方向4-80。的矩形区间，发光强度均大于1．6cd；在x方向±20°，Y方向±10°内发光强度呈近似矩形分布，且各测试点结果均满足GB17905-2008要求。该透镜可精确控制LED发出光线，有利于提高配光性能及能量利用率。

简介：目前分光计的调节方法仅实现望远镜、平行光管的轴线垂直中心转轴,却无法确定与中心转轴相交。在本文中,我们首次给出了一种调节望远镜、平行光管的轴线垂直且相交于中心转轴的方法。

简介：受激布里渊散射（SBS）相位共轭镜可以矫正激光波前畸变、改善激光光束质量，带有SBS相位共轭镜的双程主振荡一功率放大激光系统（MOPA）是在不牺牲激光光束质量的前提下提升激光输出功率的有效手段之一。相对于使用气体、液体作为SBS介质的相位共轭镜，固体相位共轭镜由于其无毒无害无需高压以及稳定、便捷、可靠等优点，

简介：采用激光二极管双侧泵浦横向流连续液体系统，具有很明显的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、激光介质的循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和断裂特性等。首先建立激光振荡的物理模型，分析系统参数对激光输出功率的影响；模拟系统的转换效率与参数之间的关系，检验该系统输出高功率的可能性。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。