简介：常压介质阻挡放电由于其具有均匀、散漫、稳定,而且不需要真空系统等优点,正日益受到人们的重视和研究。文章给出了常压介质阻挡放电的研究进展,包括实验装置、实验条件、放电机理以及最新的诊断方法,还介绍它在材料表面改性、环境工程、食品加工等方面的应用前景。

简介：从SiCp/Al复合材料性能分析着手,讨论了预置件法、焊接法和粘接法等在空间遥感器研制中常用的联接方法的优缺点,提出了在高体积分数（体分）SiCp/Al复合材料上直接加工螺纹,并加装钢丝螺套的方法来改善螺纹联接性能。对在某高体分SiCp/Al复合材料上加工的M4、M5螺纹进行了拉伸测试,结果表明：加装钢丝螺套前,复合材料螺纹有被拉脱现象;加装钢丝螺套后,M4螺纹、螺杆在3000～4000N被拉断;M5螺纹、螺杆在8000～9000N被拉断,测试后两种规格的螺纹状态良好,可以满足实际应用对该材料拉伸强度的要求,其已应用于工程项目中。

简介：采用TEA-CO2差分吸收激光雷达进行探测，是建立在气体组分对某些波长激光选择性吸收的基础上的，物质对波长的选择性吸收主要是由原子、分子内部能级的固有特性所决定的，进行探测时的技术难点在于种子源连续波导激光器频率稳定性的实现，也即是外差信号的高稳频技术，因为激光的频率稳定度将影响相干探测的混频效率，并在混频时产生相位噪声，降低系统的信噪比，直接影响探测灵敏度，因此激光雷达在信号发出到返回的时间内的频率稳定度是至关重要的。

简介：为了将模拟结果应用于评价动态内压载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足／πkt＜r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5～1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

简介：锁相环路(PLL)是一个能够跟踪输入信号相位的闭环自动控制系统，具有载波跟踪特性，可以提取淹没在噪声中的信号。锁相环可分为全数字锁相和取样锁相环。其中取样锁相环为数模混合锁相环路，又可分为分谐波采样锁相环和分频式锁相环。分频式锁相环具有较高的稳定度、较低的相位噪声和易于集成等优点，而分谐波采样锁相环还可以提供更低的相位噪声，它们在通信技术中都有着广泛的应用。

简介：采用并行时域有限差分（PFDTD）和并行时域物理光学（PTDPO）相混合的方法对大口径反射面天线近轴区的辐射远场进行了模拟计算。以圆锥喇叭馈电的单反射面天线为例,给出了馈源及反射面网格剖分的要求;根据此要求剖分网格,给出了卡塞格伦双反射面天线的时域算例,所得计算结果与CST软件的计算结果符合较好。该网格剖分要求可用于PFDTDPTDPO混合方法中进行任意馈源馈电的大型反射面天线的瞬态模拟,包括馈源偏焦的情况。

简介：目的：探究错距旋压仿真模型关键特性参数影响，改进建模方法，克服现有模型方案的缺陷，构建更准确、可靠和稳定的错距旋压有限元仿真模型。创新点：1．提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法；2．基于所构建的改进模型，完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1．通过能量、网格独立性和过程参数分析，验证改进有限元模型的可行性和可靠性：2．通过对比仿真和数据分析，获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响；3．通过仿真模拟，完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论：1．速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率；2．时间截断不能确保扶取稳态结果，不利于计算的准确性和稳定性；3．截断误差对错距旋压成型结果影响显著，计算过程中应采用双精度模式；4．错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性，应在实验设计阶段予以排除：5．针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状，基于改进模型，完善错距影响结论（表11）。

简介：在IBM公司、Annenberg／CPB企业及美国物理教师协会的支持下，CUPLE为高等学校及大学物理课程建立了一个新的教育方法模型，建立综合的一元化的物理学习环境(简称CUPLE)把实验资料、视像资料及其他资料的输入与灵活的计算机工具结合起来。本文这个

简介：首次在温和条件下，用在传统微孔沸石合成中常作为导向剂的乙二胺或1，6-己二胺替代NaOH作催化剂合成出SiO2基中孔MCM-41分子筛。合成样品用XRD和N2吸附等温线进行表征。实验结果表明，由于这种替代，使相应合成样品及焙烧样品的中孔骨架结构的有序度明显提高。在XRD图中四个衍射峰清晰可辨，是典型的六方紧密堆积，晶胞参数a0分别为4.11nm和3.75nm，且d100值随所用胺分子中碳链的增长逐渐从3．56nm减少到3．24nm，同时产物孔径由中孔转变为微孔。更多还原

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。