简介:为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.
简介:研究了开挖对承载力极限状态(ULS)、正常使用极限状态(SLS)和系统可靠度(SYS)的影响,并基于开挖条件下承栽力折减系数分别给出ULS可靠度指标、SLS可靠度指标和SYS可靠度指标的计算方法.研究得出SLS承载力和USL承载力的比值ξ对SLS可靠度和SYS可靠度有显著影响,并将这一比值的均值μξ当作随机变量,研究了SLS可靠度和SYS可靠度.算例分析表明:开挖深度和开挖直径对承载力折减系数和可靠度指标有显著影响;随着开挖深度的增大,可靠度指标有很显著的减小;当开挖深度较大时,开挖直径对可靠度指标的影响较大.此外,μξ对SLY和SYS可靠度指标的影响很大,要更精确地估计μξ,需对μξ进行深入的研究.