简介：利用SilvacoTCAD仿真软件对p＋n—n＋结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析，雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密度，因此电场分布形状发生改变，当雪崩击穿电流达到一定值时，在nn＋结处出现第二个电场尖峰，从而引发双雪崩现象。双雪崩会导致负微分电阻现象发生，以致形成电流丝，造成器件损坏。为抑制nn＋结的电场尖峰的出现，在n区n＋区之间引入缓冲层，缓冲层能起到延缓nn＋结的电场尖峰的出现，从而提高二极管的雪崩击穿耐量。
简介：尽可能减少和控制用汞县是荧光灯工艺研究的重要课题之一。目前主要通过在荧光灯玻管内肇涂覆惰性氧化物保护膜、制备品体结晶完整的荧光粉、良好的涂层来解决。以防止汞与玻璃内表面的钠起反应、防止荧光粉表面吸附的氧与求起反应，达到减少汞的消耗和改善荧光灯的寿命。
简介：通过分析查找增安型同步电动机吹扫泄漏点,改进结构,最终减小了电机的泄漏量。
简介：
缓冲层对二极管反向雪崩击穿耐量影响的仿真研究
浅议为降低汞耗量对荧光粉和涂层的一些探讨
增安型同步电动机减少吹扫泄漏量的密封措施
全国电池行业部分重点企业电池生产量与出口量统计汇总
