简介:GaN基功率器件技术正在快速发展,其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性,并且其优值(FOM)较Si基器件有非常冠著的改善,GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器/变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗,所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起,可以缩小系统尺寸,并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势,以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC/DC和DC/DC拓扑的实测结果和仿真实例。
简介:那年我们出访瑞士,安排顺访位于楞次堡(Lenzburg)的电力半导体器件生产线。初联系时还是BBC,3个月后成行时就已经是ABB了(瑞典ASEA公司和瑞士BBC公司合并为ABB公司)。ABB的朋友带我参观了3-4英寸晶闸管芯片生产线之后,我问到这种全压接式结构——硅片同热补偿片(钼片、钨片)之间没有任何合金过程——相关的强度问题。这位朋友递给我1片报废了的3英寸硅片,问我能不能用手把它掰碎。在国内,大家都知道硅片很脆,3英寸大片一掰很容易碎。可是,此时此地的3英寸硅片却难以破掰碎。我马上联想到,国内用的是(111)面的硅片,这里可能用的是(100)面的硅片。(111)面是硅的解理面,机械强度很差。(100)面机械强度高多了,所以难以一下子掰碎它。在(100)面上,找到<111>方向,顺与之垂直的位置使劲,费了一番周折,该硅片才碎成几块,其破口全是斜坡,坡面即(111)面解理面。