简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：Pulse推出业界首款耦合电感，适合非隔离直流降压调节器。这种多相耦合电感根据Volterra的许可开发制造的，支持Volterra的VT1165M和VT1115M芯片组，采用其耦合电感专利拓朴。

简介：

简介：在现代电子产品中，无源器件数量超过有源器件数量十倍的现象非常普遍。在空间为主要因素的众多无线通讯产品如手机中，特别需要集成无源器件。这种器件的芯片级封装通过把所有电路无件紧密结合在芯片本身的焊盘位置内来优化印制电路板的空间利用。本文提供了模拟的器件和实际达到的器件性能，也讨论了芯片级封装的优势和可靠性因素。

简介：手机企业对配套元器件需求旺盛据不完全统计,目前诺基亚、摩托罗拉、爱立信、北方电信、西门子、阿尔卡特、贝尔、朗讯等电信巨头都已在中国投资设厂且投资进程在加快、投资力度在加强。以上述几家公司为例,都对电子元器件有着巨额的采购需求,各公司平均采购额超过10亿元人民币/年,其在华外协代加工厂的采购额还要高出2～3倍。但由于国内的总体配套水平较低,在如此巨大的采购需求中,有大约95%需要依赖进口解决。据了解,这些企业的本地采购目标一般定在40%左右,对国内的电子元器件企业而言可以说其中蕴藏的商机是无限的。

简介：赛灵思公司宣布推出两种针对德州仪器（TI）DSP的接口。赛灵思SerialRapidIO接口适用于Virtex-4和Virtex-ⅡProFPGA，可向TI高性能TMS320C6455DSP提供高达10Gbps的串行链路。这种高速工业标准链路使面向TIDSP的设计者能够使用赛灵思FPGA来进行DSP加速、总线桥接、逻辑合并或实现新外设。

简介：Lattice半导体公司推出新型交叉可编程逻辑器件MachXO256和MachXO640。该器件可支持传统上由高密度CPLD和低容量FPGA所提供的应用．但是具有更完整和成本效率的架构以及技术。采用130nm非易失性嵌入闪存工艺技术和工业标准4输入查找表（LUT）方案实现逻辑，这些新器件为系统设计者降低每逻辑功能的成本多达50％。而特性却大大地增加。

简介：本文初步讨论了同分析电力半导体运行失效机理有关的九个基本问题。指出在深刻了解所用器件特点的基础上,充分掌握具体的实际运行工况,做好热分析和热计算,选好器件参数和相应冷却系统,保证在运行的任何工况下,器件都不会超出相应的安全工作区,才能真正用好这些器件。

简介：ISOPLUSi4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源（SMPS）的特征：器件的集成度高，在应用于高开关频率时工作性能可进行优化，一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度，如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍，并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。

简介：介绍在系统可编程模拟器件ispPAC10的内部结构、功能及实现低通滤波器的方法。

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：大功率半导体器件的各种应朋中．热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分，最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用，我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比，其结果基本吻合。

简介：本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。

简介：变频器是集控制技术和元器件为一体，通过将固定频率的交流电源转换成电压可调、频率可调的交瓣电。与控制技术相比，元器件的更新换代更为迅速，它不仅反过来促进了控制技术的提升，一更拓宽了雯频器的应用领域。在2012PCIM上海电子展上，记者特意采访到为变频器提供不同电力电子元器件的三家上游石商：荚飞凌、莱姆、青铜剑，了解他们疼上革年市场的发展状冼、产品的优势以及对未来的看法。

简介：微芯科技（MicrochipTechnology）公司推出SPI串行EEPROM系列25AA256和25LC256。新器件带有一对256Kb器件，速率可达10MHz。其中25AA256的工作电压范围在1．8V至5．5V之间，25LC256的工作电压范围在2．2V至5．5V之间，提供一40℃至85℃和-40℃至125℃的温度范围，基于SPI的器件可优化和便于连接微处理器。

简介：磁浮列车是人类梦寐以求的陆上交通运输工具，分为常导型和超导型二大类。叙述在常导磁浮列车悬浮控制系统中用复杂可编程逻辑器件(CPLD)实现其部分接触器的控制及相关的信号处理的功能。实践证明，CPLD的使用简化了电路设计，降低了成本，增加了电路的可靠性。

简介：TI公司日前宣布推出一款全新模数（A／D）视频解码器。该款高性能、低成本解决方案在同一芯片上集成了4个独立的视频解码器，因而非常适合视频监控等多输入视频应用。高度集成的全新TVP5154四通道A／D视频解码器能够显著简化布局，与前代产品相比可节省高达25％的板级空间。此外，TVP5154的每个通道均采用可编程的水平／垂直（H/V）换算器，这种设计可减轻相关视频处理器处理负载的负担，使开发人员拥有更大的空间来实施增值算法。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：虽然电子工业正在经历一个世界范围内的衰退，中国，作为电子制造的一个亮点，大有希望。中国加入世贸组织是可以预见的，以及被授予2008年的夏季奥运会的举办权，许多工业观察家预计在今后七年内将有一个前所未有的中国投资热。

简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。