简介：

简介：<正>近日,中国电科55所国博公司上报的《2012-2014年集成电路企业研发能力实施方案》,凭借过硬的产业技术基础、良好的发展前景、具体的可行方案,顺利通过评审,获得国家发改委和财政部项目支持。在"十二五"期间,中国电科国博公司计划在射频集成电路和模块研发生产领域,通过稳步发展射频基站产品、大力推广终端产品、扩展新兴产业方向,保持快速持续健康的发展。预计在2015年,国博电子将在射频芯片及模块产业领域继续保持国内领先的地位,并在技术上紧跟国际知名公司、达到国际先进水

简介：<正>美国Gartner公司近日公布的关于今后半导体行业动向的调查结果显示,半导体行业目前存在数量庞大的供应商队伍,这导致了过度竞争,今后10年内可能有约40%的供应商将撤出该领域。Gartner列举了今后半导体行业的5大趋势:①促进设备整合(维持摩尔法则);②增强制造规模和制造量;③从企业市场向消费者市场过渡;④扩大服务商的

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：介绍工厂小电流接地系统的特点;介绍单片机、外围硬设、A/D转换等以及利用该系统实现接地报警。

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简介：沃达丰空中通讯公司(VodafonePLC．VOD)的澳大利亚公司上周五公布了更具体的有关其第三代服务的推出时间，该公司表示，其3G网络将从10月份开始在悉尼和墨尔本运营。这表示布里斯班、佩思和阿德雷德必须等到2006年第一季度才能使用沃达丰的3G服务。

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：“四年后，闪存盘将全面取代软盘软驱!”当2000年朗科(Netac)公司总裁邓国顺作出这番预言时，很多人不以为然。转眼间，三年即将过去，当我们再次回想起这段话，才突然发现这位被业界誉为“闪存盘之父”的总裁先生并没有与大家开玩笑。

简介：摩托罗拉公司的区域负责人透露，到今年年底为止印度将至少启动两项3G试验项目。

简介：采用偏硼酸盐和硼酸-氧化物为原料,分别通过一步法和两步法制备B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃陶瓷材料,并对不同原料和方法制备的陶瓷材料进行XRD、SEM分析及力学、热学性能对比测试。结果表明以偏硼酸盐为原料使用一步法制备硼硅酸盐微晶玻璃陶瓷成瓷性能较两步法制备微晶玻璃陶瓷性能差,两步法制备微波玻璃陶瓷材料玻璃相相对较多,性能较好。

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简介：<正>根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)针对2014年上半年的统计结果,市调公司FutureHorizons执行长兼首席分析师MalcolmPenn决定调高对于2014年全球晶片市场预测至10.7%,相当于达到3,380亿美元的市场规模。MalcolmPenn在今年1月发表的预测数字为8%。当时,他表示2014年全球晶片市场将以4-14%的速度成长。Penn在最近一的会议表示今年第三季和第四季将分别成长8.8%与-1.5%,不过"风险的均衡仍较有利,特别是紧缩先

简介：4月28日，在经过几度耽搁后，美国宇航局发射了两颗气象卫星，用来研究云层对天气和气候的影响。当地时间凌晨3点刚过，波音公司的一枚“德尔塔Ⅱ”型火箭从加利福尼亚州中部的范登堡空军基地发射，将代号分别为CloudSat和Calipso的两颗卫星送入太空。与以往的气象卫星不同，这两颗卫星上安装的先进设备可以通过三维方式观察云层，科学家们希望借此了解云层和空气中的浮质是怎样影响天气和气候变化过程的，以及如何影响空气质量的。

简介：摘要我国输电线路组成中10kV配电线路最为常见，也是电力入户的重要组成部分。10kV配电线路大多裸露在自然环境中，容易受到各类因素影响出现故障，影响到配电线路正常运行。文中分析10kV配电线路运行时常见故障问题，并给出具体解决措施，旨在提高配电线路运行质量。

简介：本文介绍了RTGW-10锅炉微机控制系统,具有自动快速地进行数据采集、逻辑判断、各种控制、运算处理的功能和节约能源、保护环境、减轻体力、提高工作效率的优点。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：<正>上华半导体有限公司对外宣布,为了适应中国芯片消费市场日益增长的需要,它已经决定投资10亿美元在江苏省无锡市新建一个晶圆厂。上华半导体表示,该新工厂有望在2007年正式投入使用。上华半导体称,无锡新工厂投入使用后,将主要加工规格为8英寸的晶圆。上华半导体

简介：摘要:工业互联网、工业4.0以及"两化"深度融合是当前全球制造业发展的热门话题。本文旨在通过比较研究，分析这三个概念之间的联系与差异，并探讨它们对现代工业发展的影响。通过深入阐述工业互联网、工业4.0和"两化"的核心概念、特征及融合模式，我们可以更好地理解它们在推动工业转型和创新中的作用。