简介：硅是推动人类文明大步前进的现代计算机技术的核心，硅也可能在未来的计算机技术等方面起到关键作用，所以硅的研究历来是国际重大研究领域。半导体表／界面是未来关键器件中复合结构的基础，Si（111）-7×7重构表面相又是半导体重构表面的代表，因此Si（111）-7×7重构表面相及其相变动力学现象的研究，一直是一个国际重大课题。

简介：美国宇航局宣称，他们用刻蚀法在一片硅片上为韦伯氏太空望远镜制成了快门阵列。这一组快门由腔体和带有微型折页的移动门组成。微型快门上装有钴铁磁条。一个移动磁铁可打开所有小门，将磁条纳入腔体中。当小门打开时，工程人员可借助一套组合电动势控制快门的开或关。当磁铁移开时，快门就会关闭。

简介：日前，《全球半导体技术路线图》报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。预计，到2015年，全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。该报告是由欧洲、日本、韩国、中国台湾和美国的主要半导体厂商联合发布的，主要致力于寻求未来的半导体制造技术。

简介：韩国汉阳大学一个研究小组宣布开发成功一种三维多孔硅阴极材料，能够大幅度提升锂离子充电电池（以下称锂电池）的容量和效率，手机待机时间因此有望提高八倍。

简介：美国密歇根大学研究人员最近开发出一种低温制造晶体硅的新途径，有望让计算机和太阳能电池更便宜更环保。二氧化硅约占地壳总量的40％，但是将二氧化硅转变成晶体硅的工业方式不仅成本高，同时极端的加工条件带来了严重的环境污染。密歇根大学化学和应用物理教授史蒂芬·马尔多纳多说，目前现代电子产品中的晶体硅是在超过2000华氏度（约1093摄氏度）高温条件下通过一系列高能耗化学反应获得，整个过程会产生大量的二氧化碳。

简介：冶金法集合多种提纯手段逐步降低冶金级硅中杂质含量,是制备太阳能级多晶硅的有效手段,显示了巨大的成本压缩空间,发展潜力巨大。为了进一步降低冶金法成本,国内外学者针对冶金硅提纯过程中存在的长流程、低提纯效率等关键问题展开了大量的研究工作,采用了多种有效手段强化冶金硅净化过程中杂质的去除效果,提升了多晶硅的提纯效率。主要以杂质的分凝和氧化性质为基础,重点综述了有关凝固精炼与造渣精炼过程中杂质去除的最新研究进展,并对冶金法下一阶段的研究重点和发展前景进行了展望。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：还原工序是硅热法炼镁的最大能耗和排放工序，其主要工艺影响因素包括配料、真空系统、燃烧加热技术、还原罐寿命、还原炉结构以及镁还原渣处理。分别分析了各工艺因素对炼镁能耗和排放的影响机理，重点综述了还原工序节能减排技术的最新研发进展及其应用现状，最后对其发展方向进行了展望：（1）采用微机配料；（2）在机械泵前加水环泵或利用蒸汽射流泵代替机械泵进行抽真空；（3）采用蓄热燃烧技术；（4）开发新的还原罐材质以提高其寿命；（5）调整还原炉结构，延长烟气在炉内停留时间、提高还原罐密集度，或采用竖式炼镁还原炉；（6）机械化出渣、回收渣料热量并对还原渣进行再利用。

简介：日本德山公司为改善盈利状况，决定对多品硅产业进行彻底改革。由于供应过剩，预计多品硅市场仍持续低迷。德山公司将对德山制造所和德山马来西亚上厂的产量进行调整，

简介：德国欧司朗公司（OSRAM）光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150mm硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。目前，该款LED芯片已经进入试点阶段，在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。

简介：据物理学家组织网前不久报道，美国加州大学戴维斯分校的科研人员通过计算机模拟证实，利用特殊的“硅BC8”结构，能够基于单个光子产生多个电子空穴对，大幅提升太阳能电池的转换效率。相关研究报告发布在最新一期的《物理评论快报》上。太阳能电池以光电效应作为基础，当一个光子或是光粒子击中单个硅晶体时，便会产生一个带负电荷的电子以及一个带正电荷的空穴，

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：锂离子电池具有能量密度高、循环寿命长和环境污染少等优点，成为世界各国研究的重点，并且在电脑、手机和其他便携式电子设备中得到了广泛应用。然而，随着电动汽车和先进电子设备的快速发展，对锂离子电池的能量密度提出了更高的要求。

简介：据有关媒体报道，总投资2．7亿美元的联相（山东）非晶硅薄膜太阳能电池项目日前在济宁开工建设。该项目正式投产后，年产非晶硅薄膜电池可达70兆瓦。

简介：美国铁合金厂商GlobeMetallurgical准备关闭其阿拉巴马州Selma硅厂，这是因为原材料成本特别是能源成本的飙升造成的。

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：光电化学刻蚀出多孔硅（PS）用含有SnCl2、SbCl3和Ce（NO3）3的乙醇溶液浸泡后，经过400℃10min热处理，表面形成Ce—Sb共掺的SnO2光透导电薄层（TOCL）。在TOCL的表面组装含有胆固醇分子的十二烷基硫醇薄膜，萃取其中的胆固醇分子后形成筛孔分子印迹电极（SHE）。该电极与不同浓度的胆固醇乙醇溶液作用后，光电化学方法袁征了分子印迹电极对胆固醇浓度响应特性。实验结果表明分子印迹电极与吸附胆固醇的浓度具有较好的关联。特别指出的是，该筛孔分子印迹电极有望在不需要掺比电极以及零偏电压条件下实现对胆固醇的检测。

简介：CMIC（中国市场情报中心）最新发布：光伏产品价格短期内的大幅下调，令“产能过剩”、“淘汰潮”等市场悲观言论再度涌现。不过，CMIC产业分析师指出，多晶硅产业仍然处于大的景气周期之内。未来3N5年，全球多晶硅的需求将增加到100万吨的级别，是现在的10倍左右。

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。