简介:随着电子整机的多功能化、小型化.半导体元器件装配用的基板线条也逐渐趋于微细化。印制电路板一般用的铜箔(以下称为一般铜箔)表面都经过了粗糙化处理.在蚀刻成为线路时.铜箔的粗糙化部分嵌入粘合结构中很难蚀刻干净.所以不适合制作精细线条的印制电路板。为此.日立化成公司研发成功了一种表面不进行粗糙化处理.表面粗糙度在1.5μm以下,表面较平滑适合于制作精细印制电路的铜箔(以下称无粗糙化铜箔)。一般认为.表面平滑的铜箔其抗剥强度较低:但这种新开发的铜箔表面经过了特殊处理.仍然与低轮廓铜箔相当,保持0.7kN/m以上的抗剥强度。采用这种无粗糙化铜箔.以减成法可蚀刻成60μm线宽的精细线路。并顺利地进行无电镀镍/金工艺作业.减少了对镀浓的污染。当前正处于高速度、大容量的信息化时代.使用这种新型铜箔的线路与一般铜箔者相比.同样是传输5GHz的信号,线路的衰减将降低8dB/m。此项技术将对商逮印制电路板基材的研发起到积极作用。
简介:Carbon-coatedlithiummanganesesilicate(Li2MnSiO4/C)nanoparticlesweresynthesizedbypolyolprocess.X-raydiffraction(XRD)patternsoftheobtainedmaterialsexhibitagoodfitwiththatoftheLi2MnSiO4phase.Fieldemissionscanningelectronmicroscopy(FESEM)imagesoftheobtainedsamplesshowthattheparticlesizeisonlytensofnanometers.Thehighresolutiontransmissionelectronmicroscopy(HRTEM)analysisshowsthattheLi2MnSiO4nanoparticlesaresurroundedbyaverythinfilmofamorphouscarbon.Thecompositepreparedthroughpolyolprocessshowsgoodperformanceascathodematerialsinlithiumcellsatroomtemperature.ThechargecapacityoftheLi2MnSiO4/Csamplesis219mAh/g(about1.3Li+perunitformulaextracted),andthedischargecapacityis132mAh/g(about0.8Li+perunitformulainserted)inthefirstcycleinthevoltagerangeof1.5-4.8V.Agoodcapacitycyclingmaintenanceof81.8%after10cycleswasobtained.
简介:这份报纸在极其细小的颗粒的WC-12%Co合金的磁性、机械的性质上处理codopedVC/Cr3C2和sintering温度的效果。结果证明在最佳的比例的做的VC/Cr3C2的synergistic行动提高坚硬和合金的横向的破裂力量(TRS),与更多的同类的微观结构。当合金是在1430点的sintered时?C并且与0.5%Cr3C2/0.2%VC,TRS到达3786MPa,坚硬是91.7HRA和比0.6m小的谷物尺寸。谷物生长上的数字分析在sintering过程期间证明在WC谷物边界并且Cr3C2溶解在公司上猛抛的两VC分阶段执行减少固体/液体的界面的精力,溶解和降水的过程极大地被延迟,WC谷物变粗被禁止。
简介:利用含有分子量宽分布的苯并噁树脂和高含氖量的改性酚醛树脂制备的无卤覆铜板具有良好的耐热性(Td5%〉350℃,T288〉60min)、吸湿耐热性和较好的弯曲强度;板的韧性较好,裁板剪切时裂纹较少.
简介:研究镱纤维激光焊接哈氏合金C-276薄板焊缝区的元素微偏析特性.通过EDS数据分析得到的偏析比和元素的平衡分布系数表明,与以往报道的激光焊接哈氏合金C-276相比,镱纤维激光焊接哈氏合金元素微偏析减少.镱光纤激光器的高熔融效率、低线性输入热量及糊状区较高的冷却速率导致微偏析减少.用镱光纤激光器焊接哈氏合金C-276的熔融效率为64%,比传统焊接方法的熔融效率(48%)高.高熔融效率导致焊接所需的线性热输入减少,因此在本研究中发现,与以往的报道相比,其减幅更大.焊缝中心线从液相温度到固相温度的冷却速率量级为10^3℃/s.在焊缝中心线形成了构成较低微偏析的胞状枝晶子结构.