学科分类
/ 2
28 个结果
  • 简介:用模糊数学评估的方法,对电动力学教材教学内容进行了权重评估,在此基础上,按年代挑选了几本电动力学教材进行内容更新分析。并提出了优化电动力学教学的几点建议

  • 标签: 模糊评估 电动力学 教材分析
  • 简介:根据流体弹塑性内摩擦侵彻理论,系统地提出了超高速动能武器打击侵深、成坑范围和地冲击效应的计算方法,并通过实验获得了超高速弹体以速度为1000~5000m·s-1侵彻岩石的侵深、成坑范围和地冲击压力波时程曲线实验数据。将理论计算与实验结果进行对比,验证了理论模型和计算公式的准确性。建立了超高速动能武器打击地冲击效应与浅埋爆炸之间的等效计算关系,提出了抗超高速动能武器打击最小安全防护层厚度的计算方法与“软硬结合、分层配置”的遮弹防护技术方案。

  • 标签: 超高速武器 半流体侵彻 内摩擦状态 成坑效应 地冲击效应 防护技术
  • 简介:从新高考改革物理学科遇到的困境出发,分析当下电子游戏能成功的吸引学生的要素,从中提炼出物理学科可以借鉴的思路,用到新课程理念的教学模式中,寻求提高学生物理学科素养的突破口。

  • 标签: 新高考改革 学科素养 情境创设 成就感 团队意识
  • 简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

  • 标签: 复合材料 ZnS/SiO2 发光 荧光增强
  • 简介:回顾了平行系统理论的提出过程,总结了理论的具体内容,介绍了理论的发展和应用情况。通过分析抗辐射加固系统的特点,认为运用平行系统理论解决抗辐射性能评估难题在理论上是基本可行的。最后,提出了开展抗辐射性能评估平行试验需要重点研究的几个关键问题。

  • 标签: 复杂系统 平行系统理论 ACP方法 抗辐射性能评估
  • 简介:介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

  • 标签: 电致阻变 I-V特性 导电机制
  • 简介:简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

  • 标签: 高功率电磁脉冲 强电磁效应 电磁兼容 电磁易损性 评估
  • 简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

  • 标签: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量