简介：09年5月份，北美印刷电路板（PCB）订单出货比（BB值）为1.02，是近12个月以来首次超过1．0，我们认为未来几个月的需求形势会更加好转，PCB行业销售收入将会持续环比正增长。

简介：随着电子组装技术的飞速发展，使得SMT各阶段的检测技术和设备难度加大，竞争激烈，为此，该领域针对各种不同元器件的特点，功能及几何形状而开发研制出不同的检测技术，尽管如此，仍不可避免地产生一些缺陷，最近，有关人员提议将二种或几种检测技术组合应用，可以解决使用一种检测方法克服不一了的问题或缺陷。

简介：最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：分析了通信用光电子器件的分类，介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工诈原理，同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。

简介：摘要：自从1971年蔡少棠教授首次提出忆阻器的概念以来, 它因其独特的性质，在处理模拟信号时表现出超凡的计算速度及低能耗优势，尤其在内存原位计算领域展现出了巨大潜力。随着研究的不断深入和技术的进步，忆阻器阵列在存算一体芯片中的应用已成为研究热点。从概念到现实，忆阻器经历了漫长的探索之路，直至2008年由惠普实验室成功制备，才正式开启了其科研旅程的新篇章。如今，英特尔、IBM等行业领军企业纷纷加入研究行列，国内外学术界也掀起了研发热潮。本文将探讨忆阻器的诞生历程、核心工作原理及其在内存原位计算领域的革新应用，并概述其最新进展与未来发展愿景。

简介：2016年又是中国可再生能源发展取得标志性进步的一年，但清洁电力依然面临并网难的困境，比如，中国北部和西部地区的风力发电机往往长时间处于闲置状态。针对上述情况，中国政策制定者已经开始探索采用储能技术来提升电网接纳风电和太阳能发电的能力。

简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：

简介：1引言电力电子技术涉及到各种电磁能量的变换、控制、输送和存贮，已经成为国民经济建设中的关键基础性技术之一。电力电子技术在其主要的应用领域，如电机变频调速、工业供电电源、电力输、配电和绿色照明等方面，继续取得飞跃的发展。

简介：2013年5月15日,西门子驱动技术集团在中国正式推出＂全集成驱动系统＂的理念,为中国工业驱动技术的发展开拓了新的视野。西门子全集成驱动系统采用三重集成理念—横向集成、纵向集成和全生命周期集成,将驱动系统的每一个部件都集成到整个驱动链和自动化控制系统中,并涵盖整个产品生命周期。＂作为工业自动化与驱动技术的行业先锋,

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。

简介：通过对太阳能电池输出特性和蓄电池输入特性的研究,提出了一种将太阳能电池最大功率点跟踪与蓄电池优化充电综合在一起的控制策略。本文基于一个250W太阳能路灯控制系统,提出了一种综合的控制策略,实现了太阳能阵列的最大功率点跟踪和蓄电池优化充电的合理结合。

简介：最新消息，清华大学将牵手三菱电机株式会社，联合开设研究生课程，并成立“清华——三菱电力电子器件应用教学实验室；同时，浙江大学也将与三菱电机展开合作共同筹建实验室。

简介：中国上海，3月18日——全球电量传感器的知名制造者和电量传感器领域的领导者瑞士莱姆（LEM）集团日前在慕尼黑上海电子展期间，召开媒体座谈会，发布其最新—代传感器HMS。发布会结束后，LEMT业行业全球副总裁HansDieterHuber和北京莱姆电子有限公司销售总经理张宗慧先生接受了来自《变频器世界游多家专业媒体的采访。

简介：5．11-5．14，由北京橡胶工业研究设计院、全国橡胶工业信息总站主办的“第三届全国橡胶行业及相关行业技术与贸易交流会”在青岛北海宾馆隆重召开。作为此次大会的特邀赞助商，三菱电机自动化参加了此次盛会。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：介绍了中国电力紧缺的情况,提出优化电源结构、煤水核气风一体化发展的具体方案,指出电力电子技术在电力工业大发展中的应用前景。开源节流相结合,打开制约我国国民经济发展的能源瓶颈。

简介：本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

简介：本文结合实际生产现场，经过两年多对手机按键类PCB的品质不良的摸索与试验。建立了一套完整的针对手机按键类PCB的设计要点与优化方案，以保证工程工具更加利于生产效率与产品品质的提升.