简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:半导体在汽车市场的地位日显重要。在科技突飞猛进的今天,“智能功率”技术迎合了“硅上系统”和“封装中系统”市场快速增长的需求。汽车制造商和电子模块制造者找到一种更有效的适合其需要的工艺技术。事实上,他们在技术创新、价格、可靠性和环境标准方面都已经取得了非常大的进步。正是由于不断的技术改进和封装革新,使得现在能够谈论“封装中系统”,也就是说,将不同的硅片安装在一个模块中进行“机电一体化(Mechatronic)”的探索。它将机械、电气、电子和信息等部件完全地集成在同一模块中。机电一体化的方法帮助设计者从集中式结构到分布式结构的转变,推进了分布式功率密度的提高和引线的大量减少。本文阐述功率H型电桥的应用,并且将传统方法(继电器或者分立器件结构)与新型方法相比较,将一个H型全桥、保护电路、故障诊断电路集成为一个功率模块,而故障诊断信号又反馈到微处理器;还通过表面贴装器件(SMD)封装和印刷电路板(PCB)组成的系统优化散热来考虑热问题。为防止对汽车中其它电子系统产生干扰,文中还给出了电磁兼容的测量性能。
简介:反向阻断型IGBT(RB-IGBT)是一种具备承受正反向电压能力的新型器件,以它为基础,本文研究了一种4kW,可控相移全桥零电流关断(ZCS)DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析,如工作阶段分析和零电流关断的条件,随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。