简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。
简介:针对扩展二元相移键控(ExtendedBPSK,EBPSK)信号应用中一直存在的"接收滤波器设计"之技术瓶颈的问题,从数字通信系统对解调的基本要求出发,不追求利用"特殊机理的滤波器"对EBPSK信号进行精确的恢复,而是寻求利用混沌振荡器来判断发射端发射的是哪一个波形,从而完成EBPSK信号的解调。据EBPSK调制信号的特点和Duffing振子微弱信号检测原理,研究了EBPSK信号的混沌振子检测原理,设计了EBPSK信号的Duffing解调器,并通过仿真实验验证了该解调器的抗噪声性能。并且提出了Duffing振子利用内置驱动力的能量抗衡噪声概念,从能量的角度解释了Duffing振子的抗噪声机理。
简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.
简介:简要介绍了H.265/HEVC的编码框架和采用的新技术。比较了H.264/AVC和H.265/HEVC的图像质量、压缩比、编码时延等关键技术指标,将H.265/HEVC与H.264/AVC的编码性能进行了比较。实验结果表明,HEVC在编码性能上有了明显提高。