简介：<正>上海宏力半导体2日宣布其代工的O.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点,在使用较少光罩层数的同时,创造了业内OTP

简介：设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400MHz～1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

简介：提出了一种基于SMIC公司0.18μm工艺、输出频率范围为1GHz～3GHz的低抖动电荷泵锁相环频率合成器设计方法.该设计方法采用一种新型自动调节复位脉冲的鉴频鉴相器结构,可以根据压控振荡器反馈频率自动调节不同的脉冲宽度,用以适应不同的输出时钟.仿真结果显示该器件能够有效降低锁相环频率合成器的抖动,其最大峰-峰值抖动为20.337ps,锁定时间为0.8μs,功耗为19.8mW.

简介：描述了基于公共测量目标的两雷达测量系统误差估计方法，分析了造成系统误差变量可观测度低的深层次原因，讨论了其对估计结果准确性的影响；最后，描述了低可观测度条件下的多传感器测量系统误差总体最小二乘估计方法，并进行了仿真试验。

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：7月22日,VirageLogic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

简介：第二代曲波变换除了具有一般小波变换的多尺度和时频局部特性外,还满足各向异性尺度关系,能够很好表示图像边缘和平滑区域.提出了一种改进的基于第二代曲波变换的低照度彩色含噪图像增强算法.该算法利用YUV色彩空间的折衷因子及改进的增益函数,分段抑制、提升或保持曲波系数,有效地抑制了噪声,预防增强过度.试验结果表明,与传统的基于小波变换算法相比,该算法不仅能抑制噪声,而且能使低照度下图像边缘和平滑部分得到最优恢复,有效提高彩色含噪图像增强质量.

简介：

简介：<正>拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司宣布,已推出针对4G无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为IDTZero-DistortionTM系列产品之一,这款新器件可在降低长期演进（LTE）和时分双工（TDD）无线通信架构失真的同时降低功耗。IDT致力于为

简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。