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54 个结果
  • 简介:以钢制主轴为研究对象,将线性超声阵列探头置于主轴端面采集超声阵列信号。基于相位迁移(PSM)成像算法对采集到的超声阵列信号进行傅里叶变换,并通过角谱运算对频域内声场进行重建,最后通过反傅里叶变换即可实现整个成像区域的聚焦。成像结果表明:将主轴中宽度0.5mm、深度1mm表面切槽半波高横向水平宽度范围由23~29mm缩小到19~22mm,分辨率可提高的范围至少为17%~24%。此算法计算效率高,充分满足实时成像要求。

  • 标签: 频域 合成孔径 相位迁移 主轴 分辨力
  • 简介:开发了一套在材料疲劳实验机上直接在线测量超声非线性系数的实验系统。利用该系统进行3组不同加载应力下的镁合金试件疲劳在线非线性超声检测,同时,利用光学显微镜对镁合金材料随着疲劳周数增大的微观结构变化进行原位观察。结果表明,在疲劳寿命的55%之前,随着疲劳周数的增加,位错滑移产生的驻留滑移带增多,微裂纹萌生扩展,超声非线性系数随之增大;在疲劳寿命的55%之后,宏观裂纹的出现使超声衰减系数增大,超声非线性系数有减小趋势。微观观察结果可以很好地验证超声实验结果。另外,高周和低周疲劳以及拉-拉和拉-压等疲劳模式的变化对实验结果没有明显的影响。

  • 标签: 非线性超声 AZ31镁合金 疲劳损伤 驻留滑移带
  • 简介:采用不同强度超声对AZ80镁合金熔体进行处理以改善合金的凝固组织。当施加的超声强度为30.48W/cm2时,合金的平均晶粒尺寸由未经超声处理时的303μm降低为148μm。为了进一步了解超声改善镁合金微观组织的机理,采用数值模拟的方法研究超声声压对空化泡行为的影响,并且对熔体中的超声场分布情况进行分析。结果表明,熔体内不同位置所受的声压是不同的,因此不同位置上的铸锭试样的晶粒细化程度也不同。随着超声强度的增加,声压值增加,而合金的晶粒尺寸则随之降低。

  • 标签: 数值模拟 声压 超声处理 晶粒细化 镁合金
  • 简介:基于超声波在介质中的传播理论,在当量法基础上采用超声波对激光熔覆层表层裂纹深度进行定量评价。结果表明:表层裂纹信号幅值随裂纹深度的增大而增大,当裂纹深度达到1.0mm时,信号幅值基本保持不变。相同深度表层裂纹超声波信号幅值随检测距离增大而减小,并趋于平缓,分析认为激光熔覆层中各向异性树枝晶组织及层间界面导致声波能量衰减是引起上述结果的主要原因。结合上述研究结果,本研究对激光熔覆层组织引起的声波能量衰减进行补偿,进而实现表层裂纹深度定量评价方法的修正,在一定程度上提高了激光熔覆层表层裂纹深度的评价精度。

  • 标签: 超声波 检测距离 激光熔覆层 表层裂纹 深度
  • 简介:根据系统合金科学的思想,结合实验晶格常数和生成热,综合考虑合金能量、体积、原子状态之间的相互关系,确定BCC结构Nb-Mo合金系的相互作用方程为第9方程;同时,确定Nb-Mo合金系中Nb和Mo特征原子序列和特征晶体序列的基本信息;根据无序合金的特征原子浓度计算了无序Nb(1-x)Mox合金的电子结构和物理性质,其物理性质的变化趋势与电子结构的变化极其一致。

  • 标签: Nb-Mo合金系 特征原子序列 无序合金 性质
  • 简介:利用高频辅助激光熔覆技术在镍基合金上制备Al2O3-13%TiO2(质量分数)陶瓷涂层。采用SEM、XRD和EDS等方法分析陶瓷涂层的微观结构和陶瓷层与粘结层之间的结合界面。结果表明:陶瓷层出现了完全熔化区和液相烧结区双层结构,其中,完全熔化区颗粒充分烧结长大,而液相烧结区则出现了三维网状结构,该三维网状结构由熔化的TiO2相包裹Al2O3颗粒形成。通过激光熔覆作用下的粉末熔化和扁平化行为解释双层结构形成机理。同时,在陶瓷层与粘结层的结合界面上发现具有尖晶石结构的NiAl2O4和针状结构的Cr2O3,证明在激光熔覆过程中发生的化学反应可以有效增加陶瓷层与粘结层的结合强度。

  • 标签: 陶瓷涂层 镍基合金 激光熔覆 Al2O3-TiO2 高频辅助
  • 简介:对AA6111铝合金电阻点焊接头的显微组织、显微硬度和准静态失效行为进行分析。利用光学金相显微技术和高分辨率硬度测量方法对接头的焊核区、热影响区和母材金属区进行表征。结果表明,焊核区的硬度低于母材金属区的,热影响区的硬度高于或接近于母材金属区的。母材金属板材的硬度沿厚度方向发生变化,为准确分析焊接工艺对接头性能的影响,这种变化需考虑在内。通过准静态搭接剪切试验得到焊接接头的失效载荷和失效模式。所有接头以结合面断裂方式破坏,这种失效模式与焊核区的低硬度现象一致。

  • 标签: AA6111铝合金 电阻点焊 显微组织 显微硬度 力学性能
  • 简介:广东汕头超声电子覆铜板厂(以下简称超声覆铜板)位于汕头市保税区,是PCB业界知名的国有控股上市公司超声电子股份有限公司的直属生产企业。2000年投产时,产能只有120万m^2/年。2001年正值全球电子业的大萧条时期,企业十分艰难。但经过短短的几年,目前生产能力已提高到260万m^2/年,其中40%为技术含量很高的0.4mm以下薄芯板及多层PCB用半固化片产品。业内人士尽知,这样的产品,没有精良的设备,没有有效的现场管理,是很难做到稳定地量产化的。

  • 标签: 企业文化 电子业 覆铜板 汕头市 超声 广东
  • 简介:采用熔融玻璃净化技术研究了三元Fe35Cu35Si30合金的液相分离与枝晶生长特征。实验获得的最大过冷度为328K(0.24TL)。结果表明,合金在深过冷条件下具有三重凝固机制。当过冷度小于24K时,α-Fe相为初生相,凝固组织为均匀分布的枝晶。过冷度超过24K之后,合金熔体分离为富Fe区和富Cu区。在过冷度低于230K的范围内,FeSi金属间化合物为富Fe区的初生相;当过冷度高于230K时,Fe5Si3金属间化合物取代FeSi相成为富Fe区的初生相。随着合金过冷度的增加,FeSi相的生长速率逐渐升高,而Fe5Si3相的生长速率将逐渐降低。在富Cu区,初生相始终为FeSi金属间化合物。能谱分析表明,富Fe区和富Cu区的平均成分均已严重偏离初始合金成分。

  • 标签: 深过冷 相分离 枝晶生长 快速凝固 溶质分布
  • 简介:采用数值模拟方法,研究7075铝合金四通阀体类零件在多向加载成形条件下成形过程中的材料变形特征。结果表明:四通阀多向加载成形过程中存在正挤、反挤、正挤和侧挤复合、反挤和侧挤复合等4种变形模式。在不同成形阶段,表现出的变形模式依赖于加载路径。一般在变形初期会发生正挤或反挤的变形行为;在变形中期以反挤变形模式为主;在变形终期一般会发生反挤、正挤和侧挤复合变形模式。为提高型腔填充稳定性和减少成形缺陷,在变形初期和中期,应增加侧挤变形行为;在变形终期应减少或避免正挤变形行为。

  • 标签: 四通阀体 多向加载 变形行为 材料流动 铝合金 有限元
  • 简介:研究结果表明,1Cr18Ni9Ti不锈钢在pH=1的酸性NaCl溶液介质中浸泡最初期,噪声电流曲线无噪声峰,噪声电阻大,电化学阻抗谱为一容抗弧,阻抗模值大,电极表面处于稳定状态。浸泡24h噪声电流曲线出现尖峰波动,但波动峰值只有几个微安,噪声电阻直线下降,阻抗谱高频部分为一容抗弧,低频下出现感抗特征,阻抗模值大幅度下降表面处于点蚀诱导期的亚稳状态。浸泡48h后,噪声电流波动峰值突然增大至100μA,噪声峰也增多,噪声电阻基本稳定,阻抗谱低频下的感抗成分消失,点蚀进入稳定发展阶段。动电位极化曲线与电化学噪声测试结果表明,1Cr18Ni9Ti不锈钢在pH=1的酸性NaCl溶液介质中的耐点蚀性能随浸泡时问延长而降低。

  • 标签: 1Cr18Ni9Ti不锈钢 点腐蚀 电化学噪声 电化学阻抗谱
  • 简介:采用光学显微镜和场发射扫描电镜,研究超声波对原位Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si形态的影响。研究结果表明:超声波处理使初生Mg2Si的晶粒尺寸从150μm降低到20μm,初生Mg2Si形态发生改变。在二维形貌中,未实施超声波振动处理的初生Mg2Si晶粒生长为含有空腔的粗大颗粒,共晶组织生长于其中,相应的三维形态为含有漏斗状空腔的八面体和十四面体。超声波处理后的初生Mg2Si晶粒变成细小、实心三维形态的颗粒,颗粒棱角已发生钝化效应。

  • 标签: 超声波 Mg2Si/Al复合材料 MG2SI 形态 晶粒细化
  • 简介:在高能超声场下利用熔体原位反应制备TiB2/Al-30Si复合材料;利用XRD、SEM及干磨损试验研究此复合材料的显微组织和磨损性能。结果表明:在高能超声场作用下,原位TiB2颗粒在铝基体中分布均匀,形貌为圆形或四边形,尺寸在0.1-1.5μm之间。初生硅的形貌为四边形,平均尺寸为10μm。随着高能超声功率的增加,Al-30Si基体合金及TiB2/Al-30Si复合材料的硬度明显提高;特别是当超声功率为1.2kW时,复合材料的硬度达到412MPa,是基体合金的1.3倍。复合材料的磨损性能得到明显提高,载荷的变化对复合材料的磨损量影响不大。

  • 标签: TiB2/Al-30Si复合材料 熔体原位反应 高能超声场 磨损性能
  • 简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。

  • 标签: 界面迁移特征 溶质偏聚 位置选择性 微观相场 有序畴界