简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。
简介：随着信息化的不断深化和我军光电装备建设实现历史性突破，急需把握信息化条件下光电装备保障信息系统的新特点和规律。深入揭示了光电装备保障信息系统是提升光电装备保障能力水平的根本保证。在明确信息化光电装备保障内涵的基础上，分析了信息化光电装备保障系统的军事需求及体系能力，给出了信息化条件下光电装备保障信息对象、系统组成和基本功能，以及使用计算机和信息化技术设计光电装备保障信息系统的过程和关键技术。
简介：制备了一种以碱性品红为光敏剂的新型全息存储材料，且使用波长为441nm的He—Cd激光器成功研究了材料的全息特性。研究表明，该材料在短波长处仍具有较高的衍射效率、曝光灵敏度和较大的折射率调制度，衍射效率近60％，灵敏度为2．93×101c群／mJ，折射率调制度为8．85×10．。。在存储介质膜中存储了全息图像，再现图像较为清晰，对比度与保真度较为理想，说明该材料具有较好的全息存储性能，适合作为高密度全息存储介质。
图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究
信息化条件下光电装备保障信息系统技术研究
碱性品红敏化的光致聚合物在441nm短波长的全息存储特性研究
