简介：【本节需学习的内容】通过探究活动“观察手电筒”和“如何使一个小灯泡亮起来”，认识电路的组成元件及其作用，知道电路的三种状态，并会作图表示．

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。