简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:本文以苏南、苏北地区两个典型城市新课程中考物理试卷为典型案例,进行中考学业水平试卷的比较研究.通过考查内容、试卷结构、试卷命题以及亮点试题评析,进一步揭示两地区新课程物理中考命题试卷的差异性,同时就中考命题趋势提出一定的建设意见.为新课程实验区中考物理命题和教学实施提供借鉴经验.