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48 个结果
  • 简介:介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

  • 标签: DC-DC变换 逆变 变换网络 功率处理
  • 简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

  • 标签: 沟槽-电场截止型IGBT 快速开关二极管 扩展安全工作区 加固耐用性
  • 简介:日前,VishayIntertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

  • 标签: 负载开关 斜率控制 P沟道 小尺寸 封装 INC
  • 简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

  • 标签: 体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术
  • 简介:工业计算机硬件领导厂商研扬科技,最近又有一款新品问世EMB945T。该产品采用Intel最新Core™Duo处理器和移动945GMExpress芯片组,从而在嵌入式主板领域起到新一轮的高端技术指引与导向的作用。

  • 标签: INTEL 嵌入式主板 高端技术 处理器 DUO Express
  • 简介:欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管,该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步,将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

  • 标签: 激光二极管 投影机 迷你型 优化型 欧司朗 蓝光
  • 简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

  • 标签: 功率模块 硅二极管 MOS场效应管 整流器 碳化硅 开关