简介:最近几年,分立的IGBT已在不同的领域广泛应用,诸如传动用逆变器、电感性加热、焊接、太阳能发电用逆变器和UPS。这螳应用装置在某些方面仍有本质上的不同要求,需要应用优化的专用器件。本文闸述第三代1200V高速器件(“HS3”产品系列),它是专为焊接,太阳能发电逆变器和UPS等高频应用设计的。这些应用的肌型工作频率范围是20k~0kHz,要求开关损耗低于典型的传动应用的损耗,后者在10kHz甚至在更低范围中应媚。但是,饱和电压VCE,sat在整个损耗中仍起重要的作用,为此要找到开关损耗和传导损耗之间良好的平衡。文中提供了新产品的特性并和市场上的其他产品系列做了比较。这些新产品的效益在特定装置的应用中获得了验证。
简介:GaN基功率器件技术正在快速发展,其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性,并且其优值(FOM)较Si基器件有非常冠著的改善,GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器/变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗,所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起,可以缩小系统尺寸,并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势,以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC/DC和DC/DC拓扑的实测结果和仿真实例。