简介:中大功率中压变频调速技术发展很快,而且市场潜力很大。每年以12—20%速度增长,2003年大中功率中压变频器增长高达40%,总值达50亿元,总容量达600多万kW,其功率分布情况为500-5000kW。
简介:介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。
简介:永磁同步电动机(PMSM)是一个多变量、非线性、强耦合的复杂系统,其伺服系统的控制策略直接影响PMSM的性能指标。文章给出了PMSM在d-q坐标系下的数学模型,分析了空间矢量脉宽调制(SVPWM)的基本原理,针对传统的复杂SVPWM算法,分析了一种基于Kohonen神经网络的SVPWM算法。该算法计算简单,避免了大量的三角函数和求根运算,从而可节省处理器的计算时间。采用的控制方式,在Matlab/Simulink环境下建立PMSM伺服系统三闭环控制仿真模型,仿真结果验证了算法的有效性。
简介:2013年1月13日,由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A/1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会,鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构,首次设计使用了IGBT芯片精密栅极组件,研究开发了用钼片补偿IGBT和FRED芯片厚度不同的精密公差配合技术,首次采用全压接平板精密陶瓷外壳结构和真空充氮冷压焊密封等技术,开发出全压接平板IGBT产品。解决了焊接IGBT模块易产生焊接空洞、焊接材料的热疲劳、键合点的脱落和单面散热效率低下等难题,具有较强的抗冲击震动和耐疲劳的能力,可靠性高。技术创新点突出,已申请相关发明专利;样品经中国北车西安永电电气有限责任公司测试,符合项目承担单位产品技术条件的要求;样品经用户试用,满足使用要求。