简介：介绍了基于ARM920T内核的嵌入式Linux平台在静力测量系统中的应用方法。针对以前单片机静力测量系统存在的一些不足，给出了采用三星公司S3CFS2410作为核心处理器来研制功能强大且实用的嵌入式静力测量系统平台的具体设计方案。

简介：

简介：英商ARM公司与TSMC于10月18日共同宣布,已顺利完成首件采用20nm工艺技术生产的ARMCortex-A15处理器设计定案（TapeOut）。藉由TSMC在开放创新平台上建构完成的20nm设计生态环境,双方花费六个月的时间即完成从缓存器转换阶层（RTL）到产品设计定案的整个设计过程。

简介：ARM公司近日在IEEESOI会议上发布了一款绝缘体上硅(SOI)45纳米测试芯片的测试结果。测试结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bulk

简介：Telechips公司和ARM公司日前联合宣布，Telechips成为第一家授权获得ARMMali^TM-200图形处理单元（GPU）的韩国公司，将为PMP、PND、家庭和车载音响及包括手机在内的一系列便携式消费产品提供先进的2D和3D图形处理能力以及低内存带宽占用。

简介：ARM近日宣布收购Prolific，Inc。该公司位于美国加州纽瓦克，主要开发IC设计优化软件工具，可显著缩短芯片设计的开发时间、提升性能。

简介：介绍了一种基于GPRS的远程无线数据采集系统的总体结构,构建了以嵌入式ARM处理器S3C2410为核心,结合GPRS无线传输模块MC35i开发的无线数据传输系统的设计方案。

简介：推导出三点源有源诱偏系统中点源处于不同高度上时ARM的瞄准点公式,并结合ARM分辨开目标后的运动轨迹公式,对ARM入点进行了仿真,给出了ARM入点分布图以及系统的保护概率.分析表明,ARM入点分布与ARM被动导引头的分辨角、最大过载、末速度等有关.对现有ARM来说,这种诱偏系统的生存概率是很可观的.

简介：为了使电脑鼠更加高效完成迷宫搜寻冲刺任务．设计了以STM32F103RCT6增强型处理器为核心的电脑鼠控制系统。通过接收管感应反射光的光强来判断电脑鼠与墙壁之间的距离，改进传统数字式红外传感器只能判断有无障碍而无法测距的不足，定时器输出PWM信号控制空心杯直流电机，软件部分采用模块化设计方法。试验结果验证该设计方案可行，满足系统要求。

简介：ARM公司近日正式宣布推出了全新ARMCortex-A7MPCore理器，ARM公司声称该款处理器将会是该公司有史以来推出的最节能的处理器。

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简介：介绍了以ARM7TDMIMCU为核心SmartARM2200在嵌入式网络控制系统中的应用方法，同时以一个远程监控系统为例，说明了在ARM＋uCLinux嵌入式平台上实现一个网络控制系统的程序设计方案。

简介：根据系统的技术要求，本文提出了系统的软硬件解决方案，包括雷击信号采集装置和嵌入式设备的设计，操作系统的选择，系统工作方式的规划等。

简介：无线射频识别（RadioFrequencyIdentification,RFID）技术作为新一代识别技术的代表,近年来发展迅猛。随着RFID技术的深入发展和应用,RFID系统的中枢和核心组成部件的中间件成为了研究的热点。RFID中间件是连接底层设备和上层应用的桥梁,可以实现RFID读写器与企业应用的连接。嵌入式RFID中间件构架于嵌入式系统的弱计算环境中,它有别于运行在一般计算机上的软件中间件,而是在嵌入式系统上实现RFID中间件功能,使中间件可以用于各种系统集成。

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：ARM宣布其旗舰产品CortexTM—A15MPCoreTM处理器的高性能、能耗最优化的四核处理器硬宏实现已经面世。

简介：随着信息、计算机技术不断发展,汽车信息化水平越来越高,其中智能语音车载终端技术就是应用最为广泛的一种。本片文章基于此技术,探讨开发一款基于通信网络的智能语音播报车载终端系统,通过这一系统集成道路上的车辆、路线、港站等信息,并借助GPRS技术将车辆所处位置信息发送给沿线的公交站台,从而为在公交站台等待的民众显示该车辆的信息。

简介：本文以低功耗的ARMCortex-M3架构的STM32C8T6作为控制处理器，以MD231S作为GPS/GPRS二合一传感器，以MMA8452Q作为三轴加速度传感器模块器件设计系统硬件电路，配合软件模块的开发，当物件发生位移或者触动时自动触发警报。经过实验调试，系统能够稳定、可靠运行。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：ARM与展讯日前共同宣布，展讯取得ARMPOP处理器优化套件IP在内的完整ARMArtisan实体IP技术授权，此后展讯将能就ARM所支援的广泛IC代工选择以及多样化的28nm制程，开发出最富有弹性的制造方案。