简介：利用能量法讨论了均匀弹性杆的横向尺寸对其纵振动的影响,并给出了计及横向效应一端固定一端自由的杆纵向共振频率的修正公式

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：在日本，所有的学生直到第十二年级，都必须购买他们所在学校学习的各门教科书。对于小学生(从一年级到六年级)，由教育部(MOE)购买教科书免费分发给他们。许多出版公司出版了多种版本的教科书，例如，七家出版公司新出版了教学计划规定学科之一的十种不同版本的高中《物理学1B》教科书。

简介：小工具数控抛光技术已成为ICF大口径光学元件制造的主工艺技术，由于这种工艺技术使用了比被加工元件外形尺寸小得多的抛光磨头来进行加工，所以被加工表面将呈现出不同于传统方法加工表面的特征。与传统抛光技术相比，被加工表面的某些频率成分可能增加，可能会对光学系统带来不良的影响。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.