简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：化学基本原理碱性蚀刻的基本机理就是碱性氯化铜化学反应（见图1）是二价铜离子氧化金属铜生成亚铜离子。这种平衡同样在酸性氯化铜中的二价铜氧化浸蚀铜金属。所以，在碱性环境条件下，发生亚铜离子和二价铜离子的氨的络合物。更进一步利用通入空气使酸性氯化铜蚀刻液中亚铜离子氧化成二价铜离子。如下反应：

简介：ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC

简介：1.完全使用软件元件库中的元件，不加任何修改这是大部分情况下我们应该的，但有时你的器件可能多少有点出入，如果你没有用过，确认是否与库里的元件相符，最好量一下实尺寸，以免出现元件到时插不了、管脚不符等的灾难性后果。

简介：《专家点评》是"电力电子"杂志的重要特色栏目之一。我们将邀请电力电子行业中的知名专家,分别就运动控制、变换电源和电力电子元器件等电力电子主要分支中的某篇关键论文发表点评文章,进行导读,每期一篇。这些论文均由专家推荐,其内容基本上属两大范畴——[前沿]和[经典]。[前沿]介绍当今或今后国际上电力电子技术正在或将要开拓的热点课题,已经取得的成果,尚存的困难与问题,以及最新进展情况和文献。[经典]则是把世界上电力电子技术发展进程中称得上是里程碑式的技术精典论文予以重载,由专家分析这篇论文的主要贡献、对行业发展所起的作用、作者生平简介等。在专家点评文章的后面,我们以附录形式刊出被点评论文的详细译文摘要,以飨读者。希望本栏目能为国内从事电力电子研究、开发、生产、经营、推广的同行朋友,特别是年青科技人员了解前沿动向,了解专业历史提供方便。欢迎读者提出感兴趣的题目,推荐相关论文,以至提供自己的点评文章,我们亦将择优发表,与电力电子领域的同仁共享。《电力电子》编辑部

简介：什么是SMT：SMT就是表面组装技术（SurfaceMountedTechnologyl的缩写），是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。

简介：粘合是一种利用特殊设计的热环氧树脂来实现接合的技术，铜焊接则是一种利用高温实现纯金属接合的技术，本文首先对二者的性能及特点作简单介绍，在此基础上，从热、机械、电子三个方面对这两种技术在风冷应用中的优点和不足进行了探讨。然后，同样是从热、机械、电子三个方面，对铜焊接技术在液冷应用中的优势进行了分析，并给出了应用实例。

简介：印制板钻孔大量使用硬质合金钻头。因而，正确认识、合理使用钻头；如何修磨金刚石砂轮重磨钻头；重磨钻头应怎样正确操作等诸多问题；对提高钻孔质量、降低成本、提高生产效率是一个重要环节。

简介：

简介：电能作为一种特殊形式的二次能源，具有清洁，易于传输特点，成为现代社会赖以生存的一个基本条件。而面对用电形式千差万别的用户，利用电力电子技术对电能进行高效低耗变换就得到了科技界日益广泛的关注与应用。但作为一个新兴的交叉学科，许多技术人员对其所包含的内容，意义和方式并不十分熟悉。本书正是为该领域的工科学生和从事实际工作的专业人员所提供的一本全面而又简明的参考书。它以一种精心组织同时又提供充分信息的方式涵盖了从器件，变换器结构，应用领域，到设计和封装等电力电子技术的各个领域。本书将理论与实践相融合，利用电力电子技术最新应用的实例，从传统的课题一直到最新的进展，来对这个迅速发展的学科的实用性知识进行介绍。

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：

简介：上世纪90年代初以来，随着电力系统及电力工业市场化趋势的不断发展，用户对电能质量的要求不断提高，人们迫切需要开发出一种有效管理高度互联网的电力传输及分配系统的新技术，以保证电力系统的稳定性

简介：1引言在目前已得到开发利用的清洁能源中，风力发电是发展最快的，也是最具有大规模开发前景的发电方式。随着风能利用技术的日趋成熟，风能的开发成本逐步降低。目前陆上风电场建设投资在8000-10000元／千瓦左右，风力发电的成本已经可以与常规能源相比拟。截止2008年年底，

简介：介绍了阶梯式封装互连技术的原理、做法、优点及应用前景。

简介：本章叙述刚性印制板和高密度互连(HDI)层或板的技术要求，标志、包装、运输和贮存的基本原则。本章提及的印制板通常是指带有镀通孔(即金属化孔)的双面、多层板，带有或不带埋／盲孔的多层板。

简介：基体催化镀金既不是转换性镀金也不是自催化镀金，其镀层和工艺特性具有重要的应用前景，本文就该项技术问世十年来的相关国外文献进行了综述，就基体催化镀金原理，镀液中CN－的深刻影响，化学镀镍基体的影响等得要因素开展了较详细的讨论。