简介：慕尼黑上海电子展打造中国信息电子产业顶级交流平台，全球芯片厂商第三季产能利用率升至90．1％，全球智能材料市场年增长率8．6％，2010年达123亿美元，小尺寸显示器件市场升温，日本片式电感器产量约占世界总量的65％，2006年中国将成为世界第二大芯片设计中心，受全球市场影响我国集成电路产业增幅放缓，电力电子行业新兴技术“牛”势显现。

简介：英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。

简介：美国半导体产业协会董事会会议计划在北京召开；SEMI预测：封装材料市场销售将达195亿美元；Hicrochlp与BMW签订SmrtShunt技术专利许可协议；赛普拉斯PSoC器件销量突破5000万片；“飞思卡尔半导体”增资扩产项目获批……

简介：ADI推出新款RF/IF放大器，英飞凌、IBH、特许半导体．三墨和飞思卡尔扩展技术合作联盟协议将协作开发和制造32纳米半导体产品，赛米控研讨会相继在北京、上海、深圳完满结束，意法推出新型运动传感器，具有更高“智慧”，

简介：负电压降压转换器越来越多地应用于对负电压进行降压，LTC3805-5是一款基于反激式驱动的电流模式控制器。文中首先介绍了该器件的内部电路．随后对基于LTC3805-5的应用设计进行分析，对芯片应用设计中涉及的主控环路、起动、保护及供电等问题进行了阐述，最后给出了芯片的典型应用。

简介：本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。

简介：本文主要分成两个部分，第一部分探讨了社会经济的发展对于电力电子技术的需求，第二部分讨论了电力电子技术未来发展的若干方面。

简介：美国国家仪器公司（NationalInstruments，简称NI）最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪（也称为基于PC的示波器）可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围，这一具有高动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本，适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试（ultrasonicnondestructivetest，NDT）的许多领域。

简介：

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：5月14日，从山东省科技厅下达的《2012年度山东省科技成果推广计划》获悉：兖矿集团新风光电子公司高压动态无功补偿装置项目列入2012年山东省科技成果推广计划。

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。