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5 个结果
  • 简介:稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

  • 标签: 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
  • 简介:研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料,并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力,以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明:采用有机溶剂和皂化除油,银粉和玻璃粉质量比为7:3,有机载体和固体相质量比为1:9,在430℃烧结,保温时间在20~25min时,能获得最大剪切力。

  • 标签: 银基浆料 剪切力 粘结剂
  • 简介:微波合成因合成速度快、清洁和能效高而成为一种非常有前途的材料制备方法。与常规方法相比,很多材料可以在相对较低的温度和较短的时间内用微波加热合成。该文作者利用混合微波加热技术,在短时间内由镁粉、镍粉和石墨粉合成了具有立方钙钛矿结构的金属间化合物超导材料MgCNi3。利用微波加热合成的MgCNi3,镁的挥发和氧化程度明显减少。粉末X射线衍射显示合成的样品主相为MgCNi3,还含有少量未反应的石墨粉和微量的MgO杂相。金相显微镜和扫描电镜观察表明超导样品的晶粒大小一般为2~6μm。由标准的四探针电阻方法和磁测量技术测得样品的超导起始转变温度为6.9K,转变宽度约为0.8K。

  • 标签: 微波合成 MGCNI3 超导体
  • 简介:介绍了新型超导体MgB2的基本超导电性,综述了MgB2材(多晶)、线材和带材的主要制备技术,并对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.

  • 标签: MGB2 超导电性 制备技术
  • 简介:中国材料研究学会主办,中南大学、湘潭大学、湖南大学和国防科技大学承办的“2010年中国材料研讨会”将于2010年6月19-21日在湖南长沙举行。论文征集工作已开始,论文内容包括:先进钢铁材料、有色金属材料与加工技术、纳米材料和应用技术、先进储能材料、智能材料、超导材料、热电材料、磁性材料、特种粉体材料与技术、多孔材料、杂化功能材料与纳米纤维、

  • 标签: 材料研究学会 中国 国防科技大学 加工技术 有色金属材料 湖南大学