简介：Si-richsiliconnitridefilmsarepreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionmethod,followedbythermalannealingtoformtheSinanocrystals(Si-NCs)embeddedinSiNxfloatinggateMOSstructures.Thecapacitance–voltage(C–V),current–voltage(I–V),andadmittance–voltage(G–V)measurementsareusedtoinvestigatethechargingcharacteristics.Itisfoundthatthemaximumflatbandvoltageshift(△VFB)duetofullchargedholes(～6.2V)ismuchlargerthanthatduetofullchargedelectrons(～1V).ThechargingdisplacementcurrentpeaksofelectronsandholescanbealsoobservedbytheI–Vmeasurements,respectively.FromtheG–VmeasurementswefindthattheholeinjectionisinfluencedbytheoxideholetrapswhicharelocatedneartheSiO2/Si-substrateinterface.CombiningtheresultsofC–VandG–Vmeasurements,wefindthattheholechargingoftheSi-NCsoccursviaatwo-steptunnelingmechanism.TheevolutionofG–VpeakoriginatedfromoxidetrapsexhibitstheprocessofholeinjectionintothesedefectsandtransferringtotheSi-NCs.

简介：利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156＋156＊0．18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验，得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系，从而找出了Q开关的最佳频率范围值，并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

简介：AmassofGaNnanowireshasbeensuccessfullysynthesizedonSi(111)substratesbymagnetronsputteringthroughammoniatingGa2O3/Cofilmsat950C.X-raydiffraction,scanningelectronmicroscopy,highresolutiontransmissionelectronmicroscopeandFouriertransformedinfraredspectraareusedtocharacterizethesamples.Theresultsdemonstratethatthenanowiresareofsingle-crystalGaNwithahexagonalwurtzitestructureandpossessrelativelysmoothsurfaces.ThegrowthmechanismofGaNnanowiresisalsodiscussed.更多还原

简介：运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。

简介：用单辊甩带法制备了不含高生物毒性元素的Ti60Zr10Ta15Si15非晶薄带,并在高于其晶化开始温度的不同温度下对该非晶薄带进行了真空退火,研究了该非晶薄带在磷酸盐缓冲溶液（PBS）中的电化学腐蚀行为及热处理对其显微组织及其电化学行为的影响。结果表明,用单辊甩带法制备的Ti60Zr10Ta15Si15金属薄带为完全的非晶态结构,其玻璃转变温度和晶化开始温度分别为759K和833K,经过878K真空热处理后,薄带发生了部分晶化,在非晶的基底上析出了Ti相;经过938K热处理后,薄带发生了完全晶化,晶化相主要由Ti、Si3Ta5和SiZr以及TiSi组成。动电位极化测试表明,该非晶合金在PBS溶液中可表现出较为优异的耐蚀性能,部分晶化可进一步提高该合金的耐蚀性能,而完全晶化的合金抗腐蚀性能明显下降。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。