简介:电路的日益复杂和集成度的不断提高,使测试已成为集成电路设计中费用最高、难度最大的一个环节。文章主要讨论了测试中伪随机测试矢量的生成,并提出了改进其周期的办法,从而大大提高了故障的覆盖率。最后通过硬件描述语言Verilog在QuartusⅡ软件下进行仿真,验证了其正确性。
简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。
简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。