简介：

简介：利用扩展X射线吸收精细结构技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2·15％Y2O3体系进行了研究。分析结果显示，在从非晶态向纳米结构晶化的过程中，最近邻的Zr-0配位层的配位数和键长没有发生明显的改变，说明300℃温度处理的样品已经形成的900℃温度处理相同的最近邻局域结构。而对于Zr-Zr（Y）配位层，随着晶粒尺寸的减小，配位数明显降低，键长显著缩短，具有比Zr-O配位层更大的无序。这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多。

简介：利用电子衍射，X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB0O16(Ln=La,Y)的结构特性，LnBaB9O16为单斜晶系，其中LaBaB9O16的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°，荧光光谱研究表明，这两种化合物结构不同，Y^3+在YBaB9O16结构中处于中心对称格位，而LaBaB9O16中La^3+的格位则无中心对称性，Gd^3+部分取代LaBaB9O16:Eu^3+中的La^3+可改善Eu^3+离子的发光性质，LaBaB9O16:Eu^3+在真空紫外区的吸收比较弱，这可能与硼氧比较小有关。

简介：采用EXAFS方法研究了经中温等温和低温LN2处理的2mol%Y2O3-ZrO2陶瓷中Zr^4+和Y^3+离子的近邻结构。结果表明，与中温等温试样相比，LN2处理的试样中Zr-O层和Zr-Zr(Y）层的配位数显著减少，平均键长明显缩短；Y－O层配位数减少，Y－Zr(Y）层平均键长伸长；各配位层畸变程度均增大。两个试样的Y－O层配位数均高于Zr-O层配位数，表明点阵中的氧空位倾向于与Zr离子为邻。分析认为，该试样Zr-O配位层中较多的氧空位主要来源于从高温快速冷却时所保留下来的Schottky缺陷，对四方相稳定性和中温相变具有重要的影响。

简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

简介：通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面，考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明，催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在，其化学组成主要为FeOOH，且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

简介：

简介：用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射，基于GBC理论假设，采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布，考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响，计算结果与XRD表征结果相似，FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右，分布范围为0．5－8nm，助剂对FeSO4粒径分布的影响较小，它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。