简介:当前通常采用频率响应分析方法对变压器绕组变形故障实施检测,但是,单纯的频率信号抗干扰性能较差,存在诊断精度低及响应曲线特征失真的弊端。研究一种新的变压器绕组变形故障诊断及脉冲频率响应方法,采用短时Fourier变换算法处理变压器绕组变形故障的暂态信号,得到绕组脉冲频率响应图谱,以曲线图谱特征代替单纯信号特征,分析不同脉冲频率响应曲线的波形特征和差异。在利用支持向量机原理设计多个分类器,去除干扰,实现变压器绕组变形故障的准确诊断。实验结果说明,该方法可对变压器绕组变形脉冲频率响应进行准确、全面的分析,噪声较低,对绕组变形故障的诊断精确度高。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:目前PSWF的脉冲产生方法在硬件实现方面有着编程复杂,计算量大,资源消耗多等制约因素,因此亟需一种适合实时产生PSWF脉冲信号的方法。通过分析Walsh函数系的特点和产生原理,提出了一种基于Walsh函数系的PSWF脉冲波形重构方法。其中,Walsh系数可以通过已有的PSWF数值点与P编号的Walsh矩阵求解得出,再截取所需精度的Walsh系数参与重构PSWF脉冲波形,从而达到降低存储量的目的。由于Walsh码型中的±1与数字电路中的01有着天然对应的关系,重构时只需将Walsh系数相加减,从而降低计算量。仿真结果表明,利用Walsh函数系可以较好地重构PSWF脉冲波形,且算法简单,避免了乘法运算,降低了计算量和存储量,有利于工程实现。
简介:为解决国家同步辐射实验室直线微波源末级放大器速调管来源及满足后期升能的需要.研制了6台大功率线型脉冲调制器,作为E3730A速调管的阴极脉冲调制器,该调制器采用恒流充电高压逆变电源为调制器人工线(PFN)充电,输出130MW脉冲功率。对该调制器的设计原理进行了介绍,对其放电电路、放电开关、充电电路的工程实现进行了分析,详细讨论了旁路电路的作用及工程设计,指出采用同轴电缆传输高压充电能量必须采用旁路电路的必要性,最终给出了调制器的研制结果及应用情况。