简介:苹果推出的iPhone4G采用AnylayerHDI板,是透过盲/埋孔迭构来增加层板的密度,由4个双面铜箔基板组成的8层迭构,中间再加上一层以上的双面板,经过雷射钻孔方式,使任何1层均可任意连接至另一层,不过制作过程必须经过5次压合、5次电镀以及5次钻孔,与3阶HDI板相比,至少要增加30%的产能才足以因应。
简介:多位TD业内重要人士证实,下半年TD终端销量突然开始放量大增,TD芯片已供不应求,预计到年底才能改观。
简介:基于费马定理,提出了设计有限域GF(2m)上求逆器的改进方法,该方法不采用正规基来实现平方运算,也不仅仅采用一般的平方器和乘法器实现求逆运算,而是直接设计了求元素幂次的电路,达到了较低的延迟.同时结合例子给出了具体的设计方法,设计的求逆器已经在RS解码器中得到了应用.
简介:四十年岁月匆匆,名幸电子时刻享受着创造创新技术的挑战,牢牢把控新工艺的研发,注重生产零缺陷要求和产品品质管控,让企业的筋骨更为强健、严谨、细致,精益求精的工匠精神,让日资企业凸显其特色。近日,受名幸电子(广州南沙)邀约,GPCA专程走访了企业,并就环保工安、社会责任等方面交流分享,探讨企业可持续发展之路。
简介:无滴水定力,何来石穿之果?无耐寒定力,何来梅花浮香?“专注于PC13化学品一追求卓越,开创无限”,是正天伟人孜孜不倦的目标凭借着“水滴石穿”的不懈坚持,正天伟由小到大,厚积薄发,汇聚万千细流而呈奔涌之势。
简介:6月29日,华正新材收到中规认证授予的《知识产权管理体系认证证书》,经认证符合标准GB/T29490-2013要求,标志着华正新材在知识产权上又进了一大步.
简介:简要说明多层板去环氧腻污和凹蚀的重要性,比较几种去环氧腻污的优缺点。根据试验,确定浓硫酸凹蚀10μm-20μm的工艺,从而满足客户要求。
简介:5月24日,正天伟科技传出消息称,近日正天伟科技又一项发明专利获得国家专利局授权!此项专利名称为“一种防止挂架上铜的酸性除油剂及其制备和使用行法”,专利号为201510900338.7。
高阶手机需求强HDI将供不应求
TD终端销量突增 芯片已供不应求
有限域求逆器的设计与VLSI实现
名幸电子:享受挑战 风正扬帆
正天伟:水滴石穿,坚韧前行
华正新材通过知识产权管理体系认证
正凹蚀10μm-20μm多层板试验及生产
正天伟科技又一发明专利获得国家专利局授权