简介：英商ARM公司与TSMC于10月18日共同宣布,已顺利完成首件采用20nm工艺技术生产的ARMCortex-A15处理器设计定案（TapeOut）。藉由TSMC在开放创新平台上建构完成的20nm设计生态环境,双方花费六个月的时间即完成从缓存器转换阶层（RTL）到产品设计定案的整个设计过程。

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：介绍了固定分析法和Sagnac干涉法测量光纤偏振模色散的原理,并用其对三种一阶PMD模拟器的偏振模色散进行了测量,证明了固定分析法比Sagnac干涉法应用范围更广,固定分析法更具有普适性.

简介：<正>IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)日前宣布,针对目前的无线产品推出业内功耗最低和线性最高的IQ调制器。与同类产品相比,IDTF1650可直接连接高性能双模数模转换器(DAC),降低功耗达50%,IM3失真降低12dB。这款器件是要求超低功耗的高性能LTE多输入多输出(MI-MO)无线通信系统的理想选择。在典型的多模、多载波基站发射器中,调制器线性有限且功耗较高,在数字

简介：飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）为LCD和PDPTV、服务器、游戏控制台和LED照明应用的设计人员带来全新产品FAN7621。这款谐振控制器能够简化设计，降低材料成本并提供先进的保护功能。FAN7621在一个16脚SOP／DIP封装中集成了一个高压驱动电路、一个电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和众多的保护功能。此高集成度器件可省去昂贵的外部电路如脉冲变压器，不仅节省电路板空间，还可降低总体设计成本。FAN7621内部的高压驱动电路提供了消除共模噪声的附加功能，确保实现卓越的抗噪性能，

简介：

简介：2005年12月14日，ZiLOG，Inc．宣布：国际通信技术的领导者ARRIS已选择ZiLOG获奖的Z8Encore!XPMCU，用于其具备VoIP（IP语音）能力的新一代E—MTA（嵌入式多媒体终端适配器）．名为Touchstone^TMTelephonyModemTM502的产品。ARRIS是领先的E—MTA和电缆调制解调器供应商之一，并走在VoIP革命的前沿，已在这一新兴领域取得了重要的市场份额。

简介：<正>2008年2月19日,Broadcom(博通)公司宣布其蓝牙和调频接收整合芯片被用于三星公司最新获奖的MP3播放器。配备了Broadcom公司BCM2048片上系统的三星YP-P2和YP-T10,可使消费者用MP3接收调频广播或通过无线方式

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：<正>美国国家半导体公司近日宣布再度推出两款业内最低压降的CMOS双输入低压降(LDO)稳压器芯片。这一全新系列的低压降稳压器不但可以支持高效率的线性转换,而且无论在任何情况下都只耗用3mA的超低静态电流,最适用于低电压、高电流的应用方

简介：当国内的四路服务器还停留在32位计算的时候,国际上的四路服务器早已进入64位时代.有资料显示,在国外的服务器市场,64位四路服务器已经占据了相当多的份额;而在国内市场,却仅仅占到不足5%的份额.如此巨大的差距,令人疑惑.

简介：<正>美国高通公司近日宣布,其子公司美国高通技术公司推出其第四代3G/LTE多模解决方案,包括最新的调制解调器芯片组QualcommGobiTM9x35和射频收发芯片QualcommWTR3925,带来行业领先的4GLTEAdvanced移动宽带连接。这两款产品属于美国高通技术公司第四代3G/LTE多模解决方案,

简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：致力实现智能、安全以及互连世界的半导体技术领先供应商一美高森美公司（MicrosemiCorporation）宣布与索尼公司半导体业务部（简称“索尼”）合作推出市场上首款具有3D功能的定时控制器与局部调光LED背光组合解决方案，用于制造成本较低的大批量下一代LCDTV。这款组合解决方案包括索尼CXD4730GB定时与照明控制器以及由MicrosemiDAZL!^TM2000系列32端口逻辑芯片（LX24232）与8端口LED驱动器功率芯片（LX23108L）构成的LED驱动器解决方案。

简介：百利通半导体公司，一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布：公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器（ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators，ASSP—XO）”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求，为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。

简介：

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：21世纪是技术与服务结合的竞争时代。是数字化的时代。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。