简介：WSTS（全球半导体贸易统计组织）日本协会日前在东京举行了新闻发布会，发布了WSTS的2011年春季半导体市场预测。与2010年11月发布的秋季预测相比，整体进行了上调。

简介：据华盛顿国际半导体设备与材料协会(SEMI)报道,世界范围内新半导体制造设备2018年预期增加10.8%,增加至627亿美元,超过2017年的历史最高566亿美元记录。CIA一次设备市场破纪录的年份预计将在2019年,预期增长7.7%,增长至676亿美元。SEMI年中预报预计晶片工艺设备将在2018年增长11.7%,增长至508亿美元。其他前端环节,包括晶圆厂设备、晶圆制造以及标记伐9分设备2018年预期将增长12.3%,至28亿美元。组装打包设备2018年预期增长8%,至42亿美元,半导体测试设备今年预期增长3.5%,至49亿美元。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：据报道，目前台积电的7nm布局最积极，近期台积电更是转变了7nm制程设备的采购策略，将应用材料（AppliedMaterials）、科林研发（LAM）、东京威力科创（TEL）、日立先端（Hitach）、中微半导体5大设备商均纳入采购名单，致力平衡7nm制程设备商生态价格。

简介：中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。

简介：利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO（Zn1-xNixO）稀磁半导体材料，通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试，探讨了反应时间对Zn1-xNixO材料结构及磁性的影响。结果表明，反应时间显著影响Zn1-xNixO的结构与磁性，随着反应时间的延长，样品的结晶质量下降，形貌由六方棒状结构转变为片状结构，同时磁性减弱。

简介：介绍一种基于单片机的动态送风控制系统。该控制系统以C8051F330单片机为处理器，配合控制电路，采用脉宽调制技术，根据自然风特性，对直流电机的转速进行控制，从而实现风机出风的动态化。

简介：用固相反应法制备了LnBaCo2O5＋δ（Ln=Gd，Nd，Sm，Pr）-Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（质量比为1：1）4种双相混合导体膜。通过XRD分析可知，除了PrBaCo2O5＋δ和Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（KSCF）复合时发生明显反应外，其它3种复合膜在复合过程中均显示了良好的化学兼容性。4种双相膜在850℃时透氧率最高的是NdBa-Co2O5＋δ-Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（约为0．28mL／（cm2·min））。