简介：飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）为LCD和PDPTV、服务器、游戏控制台和LED照明应用的设计人员带来全新产品FAN7621。这款谐振控制器能够简化设计，降低材料成本并提供先进的保护功能。FAN7621在一个16脚SOP／DIP封装中集成了一个高压驱动电路、一个电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和众多的保护功能。此高集成度器件可省去昂贵的外部电路如脉冲变压器，不仅节省电路板空间，还可降低总体设计成本。FAN7621内部的高压驱动电路提供了消除共模噪声的附加功能，确保实现卓越的抗噪性能，

简介：

简介：2005年12月14日，ZiLOG，Inc．宣布：国际通信技术的领导者ARRIS已选择ZiLOG获奖的Z8Encore!XPMCU，用于其具备VoIP（IP语音）能力的新一代E—MTA（嵌入式多媒体终端适配器）．名为Touchstone^TMTelephonyModemTM502的产品。ARRIS是领先的E—MTA和电缆调制解调器供应商之一，并走在VoIP革命的前沿，已在这一新兴领域取得了重要的市场份额。

简介：<正>2008年2月19日,Broadcom(博通)公司宣布其蓝牙和调频接收整合芯片被用于三星公司最新获奖的MP3播放器。配备了Broadcom公司BCM2048片上系统的三星YP-P2和YP-T10,可使消费者用MP3接收调频广播或通过无线方式

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：<正>美国国家半导体公司近日宣布再度推出两款业内最低压降的CMOS双输入低压降(LDO)稳压器芯片。这一全新系列的低压降稳压器不但可以支持高效率的线性转换,而且无论在任何情况下都只耗用3mA的超低静态电流,最适用于低电压、高电流的应用方

简介：当国内的四路服务器还停留在32位计算的时候,国际上的四路服务器早已进入64位时代.有资料显示,在国外的服务器市场,64位四路服务器已经占据了相当多的份额;而在国内市场,却仅仅占到不足5%的份额.如此巨大的差距,令人疑惑.

简介：<正>美国高通公司近日宣布,其子公司美国高通技术公司推出其第四代3G/LTE多模解决方案,包括最新的调制解调器芯片组QualcommGobiTM9x35和射频收发芯片QualcommWTR3925,带来行业领先的4GLTEAdvanced移动宽带连接。这两款产品属于美国高通技术公司第四代3G/LTE多模解决方案,

简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：致力实现智能、安全以及互连世界的半导体技术领先供应商一美高森美公司（MicrosemiCorporation）宣布与索尼公司半导体业务部（简称“索尼”）合作推出市场上首款具有3D功能的定时控制器与局部调光LED背光组合解决方案，用于制造成本较低的大批量下一代LCDTV。这款组合解决方案包括索尼CXD4730GB定时与照明控制器以及由MicrosemiDAZL!^TM2000系列32端口逻辑芯片（LX24232）与8端口LED驱动器功率芯片（LX23108L）构成的LED驱动器解决方案。

简介：百利通半导体公司，一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布：公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器（ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators，ASSP—XO）”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求，为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。

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简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：21世纪是技术与服务结合的竞争时代。是数字化的时代。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。