简介:基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纯MgF2晶体、Co掺杂MgF2晶体、P掺杂MgF2晶体和(Co,P)双掺杂MgF2晶体的电子结构和光学特性.结果表明,掺杂后的MgF2晶体发生了畸变,原子之间的键长也有所变化.(Co,P)双掺杂后,由于非金属原子P态和金属原子d态之间的轨道杂化,在MgF:的导带与价带之间形成了新的杂质能级,这些杂质能级一方面减小了MgF2的带隙宽度,使光吸收曲线红移到可见光区,另一方面有利于光生电子一空穴对的分离,提高了MgF2光催化效率.(Co,P)双掺杂使位于禁带中的杂质能级的态密度明显增加,导致电子从价带跃迁到杂质能级和从杂质能级跃迁到导带的概率增加,从而使其对太阳能的利用率提高.并揭示了(Co,P)双掺杂MgF2在光学元器件方面的潜在应用.
简介:强激光在冕区等离子体中传播到临界面附近生成相对论电子和相对论电子束流在随后较长一段稠密等离子体区的能量传输是快点火中的关键问题。对快点火条件下的激光等离子体参数,临界面附近产生的前向快电子电流往往超过阿尔芬极限电流,必须在稠密等离子体中产生中和回流,快电子流才能在稠密等离子体中向前输运。横向电磁不稳定性(类Weibel不稳定性,WI)和纵向静电双流不稳定性(TSI)很容易在这种电子双流体系中激发,前向电子束会被调制或成丝状结构,同时激发电磁场,粒子部分动能会转化为电磁场能量。不稳定性在非线性饱和后,发生电流丝的合并、磁场重联等过程,部分电磁场能量会再转化为粒子能量,表现为对离子体的横向加热。Weibel不稳定性的作用可能形成围绕传播电子束的磁通道,对快电子的定向和准直传播是重要的。TSI激发的纵向静电场对磁场通道会有明显的调制甚至破坏作用,直接影响高能电子流从激光吸收区到燃料压缩区的准直传播。
简介:研究了磺化2,3-萘酞菁锌(Ⅱ)、钴(Ⅱ)在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)、DMSO(二甲基亚砜)、乙醇、水等溶剂中的电子吸收光谱和荧光光谱.萘酞菁配合物的Q带与相应的酞菁配合物Q带相比,电子吸收光谱红移80~90nm,荧光光谱红移约100nm,荧光强度也显著增加.在金属萘酞菁中引入磺酸基,配合物的电子吸收光谱Q带发生红移,但是影响不大.对于相同中心金属的配合物,改变溶剂的种类对配合物的电子吸收光谱的Q带影响较大.在金属萘酞菁环上引入一个磺酸基时,在相同溶剂中与无取代萘酞菁相比发生荧光光谱Q带红移,荧光强度增大.但在萘酞菁环上继续引入磺酸基时,荧光强度反而减少.磺化萘酞菁钴比磺化萘酞菁锌有较大的荧光强度.不同浓度下的电子吸收光谱和荧光光谱说明金属萘酞菁有集聚倾向、能形成基激缔合物.
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。