简介:TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限
简介:O4322001020774光电技术在合肥光源束流测量系统中的应用=Applicationofopto-electronictechniquestothemeasuringsystemsforbeamoflightsource[刊,中]/孙葆根,何多慧,方志高,王贵诚,卢平,王筠华,许玲(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230029))//光电工程.—2000,27(2).-1-4介绍了合肥200MeV电子直流加速器利用光电二极管阵列的能谱测量系统。800MeV电子储存环利用CCD技术的束流截面测量系统及利用单光子计数法测量束团纵向精细结构。图5参3(吴淑珍)
简介:一、启发提问图7-771.如图7-77,⊙O1、⊙O2沿直线O1O2作相向运动,请观察:(1)两圆有无公共点?若有公共点?有几个?(2)在哪几个位置时⊙O1与⊙O2有一个公共点?(3)在什么位置时⊙O1与⊙O2有两个公共点?2.设⊙O1的半径为r,⊙O2的半径为R,O1O2=d,试用d、R、r之间的数量关系表示两圆的五种位置关系.3.若两圆相切,则连心线必过.4.连心线是一条直线,相交两圆的连心线公共弧.二、能力训练1.填空图7-78(1)设⊙O1、⊙O2的半径分别为r、R(R≥r).O1O2=d,那么:①如图7-78,⊙O1与⊙O2相离,则dR+r.②如图7-79,⊙O1与⊙O2外切,则.③