简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:面对当代电子产品不断朝着小型化芯片器件和IC封装不断朝着微间距方向发展的趋势,如果要避免墓碑现象、芯片中间成球和桥接现象,意味着每个焊盘上面所要求的焊膏量会减少。然而,在绝大多数针对此类情况的电子组装过程中,也有大量的元器件要求采用较多的焊料量,以形成可以满足产品使用要求电性能和机械性能的焊点。因此在一块印制电路板上各种器件对所实施的焊料量会有各自不同的要求,如何能够兼顾各种需求?最近国际电子生产商联盟(iNEMl)(亚洲)焊膏涂布研究小组(SolderPasteDepositionGroup)对此开展了一项研究,本文试图就这项研究的一些情况作些介绍,供相关人员参考。