简介：提出了一种利用薄膜反射光谱包络线法计算光电薄膜光学常数和厚度的方法。当一束光照射在基板上的介质膜上时，由于薄膜上、下界面反射光的相干，会使反射光谱的曲线有一定的波动。本文对反射光谱进行了理论分析，给出计算公式，从测量曲线中的实验值得出薄膜的厚度和光学常数。此种方法计算过程简单、迅速，而且易于编程处理。

简介：以ＴｉＣ１４为源物质采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率，进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现，在不同气流量、沉积温度为１００～２５０℃的条件下制备的ＴｉＯ２膜，其折射率在２．１６～２．８２范围内，消光系数在０．０４×１０－３～６．７０×１０－３范围内，光学带隙能在２．８～３．０８ｅＶ范围内。在光催化作用下，ＴｉＯ２膜用于处理苯酚溶液，苯酚的转化率高达５４．０５％。关键词##4化学气相沉积（ＣＶＤ）;沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原

简介：采用等离子体预处理技术和优化的金刚石薄膜沉积工艺，以期为金刚石薄膜涂层工具的制备开发一种新的实用易行的表面预处理方法。等离子体预处理和金刚石薄膜沉积都在自行研制的热丝CVD系统中进行的。等离子体预处理是在脱炭气氛中进行，基体温度控制在硬质合金的再结晶温度范围内，处理总时间为2h。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明：生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。

简介：薄膜厚度的测量是薄膜科学的重要分支之一，本文讨论用迈克尔逊干涉仪观察白光等厚彩色干涉条纹方法，从而确定薄膜的厚度和折射率，该方法的优点是测量精度高，原理简单，在一次测量过程中可同时确定薄膜的厚度和折射率。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：建立了非线性热力学模型,定性分析了外加应力和外加温度对外延生长在正交基底上的Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜相变的影响。在外力场下,固定其中一个方向失配应变e1=0.005,模拟得到了不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加应力的相图。研究发现,随着Ti组分的减少,出现了新相正交a1c相和四方相a1相,且新相区域也会随Ti组分的不同而变化。在外加拉应力下,c相是薄膜较易出现的相,而在外加压应力下薄膜易处于a1a2相。在不同温度场下,模拟非等轴失配应变的PZT薄膜得到不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加温度相图。当组分x≤0.7时,相图中出现了正交a1c相,由于非等轴失配应变的存在,使得从顺电相向r相发生相变的过程中,多出了正交a1a2相;同时另一新的四方a1相也出现在沿失配应变正方向e2被拉伸的区域。随着Ti组分的增加,单斜r相的面积缩小且位置下移。之前存在的四相点也变为了三相点,而正交相a1a2相则向相图的中心位置移动。模拟结果对研究外场下铁电薄膜微器件的性能变化具有一定的指导意义。

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

简介：通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_（0.52）Ti_（0.48）O_3/Ni（PZT/Ni）复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪（X-raydiffraction,XRD）表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明：随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。