简介：通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

简介：研究目的:预测保护层开裂的时间以及分析锈胀参数研究方法:基于混凝土的各向异性损伤,建立考虑钢筋–腐蚀产物–混凝土三者不同力学性能的钢筋锈胀导致保护层开裂的数学模型。模型考虑了腐蚀产物对钢筋混凝土界面区的孔隙和混凝土开裂裂缝的填充效应,采用了非线性分析算法,预测了开裂过程中每一时刻混凝土构件的应变与位移场以及混凝土保护层开裂时间,最后将模型预测值与试验值进行对比。重要结论:1.当混凝土出现裂缝之后,随着腐蚀产物对裂缝的填充,混凝土的环向拉应变的增长速率减缓;2.选定钢筋的型号、直径以及混凝土的强度之后,可通过增大保护层的厚度来减小钢筋锈胀开裂的风险。

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：在库仑玻恩近似框架下,利用库仑势带有数学参量积分的球谐表达式的形式,将散射振幅的跃迁矩阵分解为彼此独立的两部分:入射扭曲因子和靶结构因子,以电子与类氢离子—氦离子在库仑玻恩近似下1s-2s激发和1s-2p激发的非弹性散射为例,导出了靶结构因子的解析发达式,并分析了它对微分散射截面的贡献。

简介：研究等离子体辐射不透明度和状态方程的核心问题是原子结构计算问题。平均原子一直是主流模型，但有缺陷：电子交换势一直停留在Fermi—Dirac统计基础上；自由电子与束缚电子的划分采用了经典判据；电子间的自作用和自交换作用难以真正抵消；给出的能级、电子占据数、化学势特别是基态能量，很不准确。如果温度持续降低，等离子体应逐渐凝聚成固态物质，平均原子应过渡到真实原子。而绝大多数平均原子模型都无法作到这一点。要精确计算等离子体内的原子结构参数，必须使用具有很高精度的Hartree-Fock自洽场原子结构模式。

简介：本文首次采用高温高压固相反应法合成类钙钛矿化合物Ba1－xLaxTiO3（x＝0．0，0．1，0．2，0．3，0．4，0．5）。XRD谱的测量结果表明，在压力为2．8GPa，温度为850℃下，稀土La在BaTiO3中的替代导致结构从立方到四方到正交的结构转变，因此，Ba1－xLaxTiO3体系体现结构转变规律和丰富的物相结构。

简介：素质教育是当前的一个热门话题，教育的目的是使受教育者的各方面素质得到全面提高，这已成为人们的共识。教育的阶段性和高等教育的专业化，又使得不同的学校对学生的教育必须各有侧重。高等师范院校的物理学教育专业所考虑的重点问题就是怎样提高作为中学物理教师的专业素质问题。

简介：等离子体的辐射不透明度和状态方程是工程物理中的重要参数，这些物理参数取决于等离子体内大量离子的统计行为。由于高温稠密等离子体内的离子类型多达百万，一般只能用平均原子模型进行模拟。当计算轻元素稀薄等离子体原子结构时，平均原子结果与实验有一定的偏差，而此时等离子体内离子类型数目有限，正是细致组态模型适用的情况。标准的Saha方程需要孤立离子的能级，计算孤立离子结构的程序很多。当然，这些离子能级还可从实验获得。但是，标准的Saha方程使用的能级不含等离子体背景效应，能级数会发散。为了消除该缺陷，Saha方程中引进了等离子体背景修正。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。